[发明专利]一种可并联组合的整流二极管芯片的制造工艺

权利要求书

1.一种可并联组合的整流二极管芯片的制造工艺；其特征在于：选择硅片衬底，然后按以下步骤进行操作：

第一步，在所述硅片衬底下表面通过第一掺杂形成一下部扩散区；

第二步，在所述硅片衬底上表面和下表面均形成一层二氧化硅薄膜层；

第三步，通过光刻胶掩膜硅片衬底上表面的所述二氧化硅薄膜层除去两间隔区域之外的周边区域，并以此光刻胶作为掩膜层，刻蚀并去除裸露的所述二氧化硅薄膜层上的两所述间隔区域；

第四步，对两所述间隔区域进行第二掺杂，从而在两间隔区域中分别形成一上部扩散区，所述上部扩散区在上下方向上与所述下部扩散区间隔设置；

第五步，在两所述上部扩散区的边缘区域开沟槽，沟槽的深度为20~40um；

第六步，将位于硅片衬底上表面的所述二氧化硅薄膜层去除，并对所述硅片衬底上表面以及所述沟槽进行清洗，然后形成一层多晶硅钝化复合薄膜层；

第七步，在所述沟槽中的多晶硅钝化复合薄膜层表面形成一层玻璃钝化层；

第八步，将两所述上部扩散区表面的多晶硅钝化复合薄膜层去除，裸露出两上部扩散区；同时去除所述硅片衬底下表面的薄膜层，裸露出所述下部扩散区；

第九步，在两所述上部扩散区以及所述下部扩散区的表面分别沉积金属层，形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：两所述上部扩散区之间的距离为200~300um。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述硅片衬底为N 型〈111〉晶向，所述第一掺杂为磷杂质掺杂或砷杂质掺杂，所述下部扩散区为N+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为30~50μm；所述第二掺杂为硼杂质掺杂或镓杂质掺杂，所述上部扩散区为P+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为50~70μm。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述硅片衬底为P 型〈111〉晶向，所述第一掺杂为硼杂质掺杂或镓杂质掺杂，所述下部扩散区为P+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为30~50μm；所述第二掺杂为磷杂质掺杂或砷杂质掺杂，所述上部扩散区为N+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为50~70μm。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤二中，所述二氧化硅薄膜层形成的工艺条件为：1150±0.5℃炉管内，先经过30±5分钟的氧气气氛，再经过480±10分钟的水汽气氛，最后再经过30±5分钟的氧气气氛。

6.根据权利要求3或4所述的工艺，其特征在于：所述磷杂质掺杂的工艺条件为：首先在1100℃±0.5℃炉管内，时间为2±0.05小时，气氛为三氯氧磷；出炉后泡氢氟酸30±5分钟，接着，在1250±0.5℃炉管内，时间为4±0.05小时，气氛为N₂的条件下进行，从而通过磷原子扩散形成所述N+区。

7.根据权利要求3或4所述的工艺，其特征在于：所述硼杂质掺杂的工艺条件为：首先涂覆液态硼源，在1150±0.5℃炉管内，时间为2±0.05小时，气氛为氮气；出炉后泡氢氟酸30±5分钟，接着，在1250±0.5℃炉管内，时间为18±0.05小时，气氛为氮气的条件下进行，从而通过硼原子扩散形成所述P+区。