[发明专利]像素电极结构及像素电极结构制作方法有效
申请号: | 201910358616.9 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110071159B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 史婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电极 结构 制作方法 | ||
一种像素电极结构包括像素反射电极、像素定义层、空穴注入层、空穴传输层、发光层以及半透明层。所述像素反射电极包括红像素反射电极、绿像素反射电极及蓝像素反射电极。所述像素定义层设置于所述像素反射电极之间。所述空穴注入层设置于所述像素反射电极上。所述空穴传输层设置于所述空穴注入层上。所述发光层设置于所述空穴传输层上。所述半透明层设置于所述发光层上。其中所述红像素反射电极与绿像素反射电极的间距小于绿像素反射电极与蓝像素反射电极之间的间距。通过本发明的所述的像素电极结构可以利用喷墨打印制作高分辨率的像素电极结构。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种具有高分辨率的像素电极结构及像素电极结构制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)因其高亮度、自发光、响应快以及低驱动电压等优点,已成为显示面板市场发展的重点技术。在大尺寸OLED显示面板中,底(bottom)发光结构的阴极采用较厚的碱金属,但是底发光结构的OLED显示面板由于光源需穿透不透光的晶体管及数据线等结果,因此底发光结构的OLED显示面板开率较低,随着用户对分辨率的要求越来越高,OLED显示面板逐渐着重顶(top)发光结构的发展,以期望实现更高的分辨率。
顶发光的OLED结构采用透明导电氧化物或较薄的半透明金属作为顶部阴极,光由顶部发出。顶发光OLED利用金属微腔结构,将发光区置于反射电极与半反射膜构成的谐振腔内,当OLED的度与光波长相当时,使OLED通过协振腔的微腔效应增强光强度,可以使器件光色更纯,效率更高。在高分辨率喷墨打印顶发光器件开发时,由于像素尺寸较小,若由氧化铟钖等导电材料制成的红(R,red)、绿(G,green)、蓝(B,blue)像素反射电极均采用微腔效应第二节点为基准,器件各层厚度较大,打印时易产生溢流和混色风险,若增加浓度会导致出墨困难。采用微腔效应第一节点为基准,红与绿像素反射电极可容易制作,但由于蓝光波长较短,第一节点器件结构中的空穴注入层(HIL,Hole Inject Layer)与空穴传输层(HTL,Hole Transport Layer)的厚度仅有十几纳米,使得制程困难。
因此,本发明提供一种像素电极结构及像素电极结构制作方法。使得利用喷墨打印的顶发光OLED显示面板可以具有高分辨率的OLED显示面板。
发明内容
本发明提供一种像素电极结构包括像素反射电极、像素定义层、空穴注入层、空穴传输层、发光层以及半透明层。所述像素反射电极包括红像素反射电极、绿像素反射电极及蓝像素反射电极。所述像素定义层设置于所述像素反射电极之间。所述空穴注入层设置于所述像素反射电极上。所述空穴传输层设置于所述空穴注入层上。所述发光层设置于所述空穴传输层上。所述半透明层设置于所述发光层上。其中所述红像素反射电极与绿像素反射电极的间距小于绿像素反射电极与所述蓝像素反射电极之间的间距。
较佳地,介于所述红像素反射电极与所述绿像素反射电极之间的像素定义层具有第一宽度,介于所述绿像素反射电极与所述蓝像素反射电极之间的像素定义层具有第二宽度,介于所述蓝像素反射电极与所述红像素反射电极之间的像素定义层具有第三宽度,其中所述第一宽度小于所述第二宽度,所述第一宽度小于所述第三宽度。
较佳地,位于所述蓝像素反射电极上的空穴注入层的厚度大于位于所述红像素反射电极与绿像素反射电极上的空穴注入层的厚度,位于所述蓝像素反射电极上的所述空穴传输层的厚度大于位于所述红像素反射电极与绿像素反射电极上的所述空穴传输层的厚度。
较佳地,位于所述蓝像素反射电极上的空穴注入层的厚度大于60纳米,位于所述蓝像素反射电极上的所述空穴传输层的厚度大于60纳米。
较佳地,所述第二宽度等于所述第三宽度,所述第一宽度为10纳米,所述第二宽度及所述第三宽度为20纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的