[发明专利]谐振结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910359434.3 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111865249B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;司朝伟;韩国威;杨富华;宁瑾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种谐振结构，其特征在于，包括：
支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；
所述谐振体(2)介于所述第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，所述谐振体(2)沿平行于所述第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，所述支撑梁(1)沿所述椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿所述谐振体(2)，所述谐振结构形成的驻波波长等于所述椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸；
其中，所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的长对称轴与短对称轴的尺寸大小比值为偶数。
2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)与所述谐振体(2)相连于所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的短对称轴的两端。
3.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)沿所述谐振体(2)椭圆或者菱形横截面的短对称轴方向的长度为所述短对称轴尺寸的整数倍，沿所述谐振体(2)椭圆或者菱形横截面的长对称轴方向的宽度小于所述短对称轴尺寸的一半。
4.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)沿所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的长对称轴对称。
5.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振体(2)沿垂直于所述椭圆或者菱形横截面方向的厚度小于沿椭圆或者菱形横截面的长对称轴方向的宽度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)与所述谐振体(2)的材料为压电材料，所述压电材料在所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的杨氏模量为各向同性。
7.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述第一电极(3)及第二电极(4)为导电薄膜材料。
8.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振结构还包括第三电极(5)及第四电极(6)，所述第三电极(5)设在所述第一电极(3)上，所述第四电极(6)设在所述第二电极(4)上。
9.一种谐振结构的制备方法，其特征在于，包括：
S1，依次在衬底上生长第一导电薄膜材料(8)、压电材料(9)及第二导电薄膜材料(10)；
S2，对所述第一导电薄膜材料(8)、压电材料(9)及第二导电薄膜材料(10)进行图形化及刻蚀，得到支撑梁(1)、谐振体(2)、第一电极(3)及第二电极(4)，其中，所述谐振体(2)沿平行于所述第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的长对称轴与短对称轴的尺寸大小比值为偶数，所述支撑梁(1)沿所述椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿所述谐振体(2)，相连于所述短对称轴两端，所述谐振结构形成的驻波波长等于所述椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸；
S3，制备第三电极(5)及第四电极(6)。
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