[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于氮化硅的蚀刻组合物，其包含：

磷酸化合物；

取代或未取代的C₇至C₈环烃；

含硅化合物；和

水，

其中所述取代或未取代的C₇至C₈环烃是托酚酮或被异丙基取代的托酚酮。

2.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组合物，其中所述磷酸化合物包括正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、亚磷酸、连二磷酸和多磷酸中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组合物，其包含：

60wt％至95wt％的所述磷酸化合物；

0.0001wt％至10wt％的所述取代或未取代的C₇至C₈环烃；和

余量的水。

4.根据权利要求3所述的用于氮化硅的蚀刻组合物，其包含：10wt％或更少的含硅化合物。

5.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组合物，其中所述含硅化合物包含由式2表示的化合物：

[式2]

其中R1、R2、R3和R4各自独立地为氢、C₁至C₁₀烷基、C₁至C₁₀烷氧基、C₃至C₁₀环烷基或C₆至C₁₂芳基，条件是R1、R2、R3和R4中的一个或多个为氢或C₁至C₁₀烷氧基。

6.一种用于蚀刻半导体装置的方法，其包括：使用根据权利要求1至5中任一项所述的用于氮化硅的蚀刻组合物蚀刻氮化硅层。