[发明专利]低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极。

2.如权利要求1所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石、碳化硅或者硅材料制成。

3.如权利要求2所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，所述吸收层为n型掺杂Al_xGa_1-xN材料，电子浓度大于10¹⁷cm^-3。

4.如权利要求3所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，所述覆盖层为半绝缘Al_xGa_1-xN材料，并且晶格与所述吸收层相匹配。

5.如权利要求4所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，所述电极为肖特基接触电极，结构呈叉指状。

6.如权利要求5所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石材质；所述缓冲层为高温生长的A1N，厚度为0.5μm；所述光吸收层为硅掺杂的n-Al_0.4Ga_0.6N，厚度为0.3μm；所述覆盖层为非掺半绝缘Al_0.4Ga_0.6N，厚度为20nm；所述电极设置为Ni/Au金属层，Ni层厚度和Au层厚度均为7nm，所述电极的指宽为10μm，指长为400μm，指间距为10μm。

7.一种如权利要求5所述的低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，采用MOCVD技术在所述衬底上外延生长外延片，所述外延片结构自所述衬底从下往上依次为所述缓冲层、所述吸收层、所述覆盖层；

S2，在所述外延片表面采用电子束蒸发和光刻技术淀积和定义Ni/Au半透明的叉指电极层，从而最终获得所述低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述外延片的生长温度为1100℃，III/V比约为1000，腔体压力控制在100mtorr。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层为轻掺Al_xGa_1-xN材料，电子浓度大于10¹⁷cm^-3，厚度设置为200nm～400nm。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖层为半绝缘Al_xGa_1-xN材料，电阻率大于10¹⁰Ω/cm^-2，厚度设置为20nm～30nm。