[发明专利]应变层的形成方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于CFET的应变层的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的部分区域形成交替外延生长的第二叠层结构，所述第二叠层结构至少包括三层；

蚀刻掉位于所述第二叠层结构的中间层中的至少一层，形成层间间隙；

形成应变层，所述应变层充满所述层间间隙，

其中，所述第二叠层结构中位于应变层的上层用于形成第二源区和/或漏区，所述第二叠层结构中位于应变层的下层用于形成第一源区和/或漏区。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述蚀刻第二叠层结构的方法包括：原子层刻蚀方法。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成应变层的方法包括：原子层淀积法。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应变层的材料包括：氧化物。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，形成应变层的步骤包括：

在半导体衬底上的部分区域形成交替外延生长的第二叠层结构，所述第二叠层结构至少包括三层；

蚀刻掉位于所述第二叠层结构的中间层中的至少一层，形成层间间隙；

形成应变层，所述应变层充满所述层间间隙，

其中，所述第二叠层结构中位于应变层的上层用于形成第二源区和/或漏区，所述第二叠层结构中位于应变层的下层用于形成第一源区和/或漏区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，蚀刻掉位于所述第二叠层结构的中间层中的至少一层，形成层间间隙的方法包括：原子层刻蚀方法。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成应变层的方法包括：原子层淀积法。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述应变层的材料包括：氧化物。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成应变层的步骤之后还包括：

在所述第二叠层结构中的所述应变层上形成第二源区和/或漏区。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述形成第二源区和/或漏区的步骤包括：

蚀刻所述第二叠层结构中的所述应变层上的至少一层的部分或者全部；

形成外延生长的半导体层；

其中，所述外延生长的半导体层用于形成第二源区和/或漏区，所述第二源区和/或漏区位于所述应变层的表面，以获得所需的应力。

11.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成第二叠层结构和蚀刻所述第二叠层结构的中间层中的至少一层的步骤之间，还包括：

在所述半导体器件表面沉积氧化物；

对所述氧化物进行蚀刻，使其表面与所述第二叠层结构中离衬底最近的一层的表面平齐，

其中，所述第二叠层结构中离衬底最近的一层，用于形成第一源区和/或漏区。

12.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成第二叠层结构的步骤之前，还包括：

形成用于外延生长第二叠层结构的所述衬底上的部分区域。

13.根据权利要求5或12所述的制造方法，其特征在于，形成用于外延生长第二叠层结构的所述衬底上的部分区域的步骤包括：

在衬底上形成交替外延生长的第一叠层结构；

在所述第一叠层结构中生成半导体鳍片和浅沟道隔离区域；

形成与所述半导体鳍片相交的栅极导体和栅极电介质；

在所述栅极导体的顶部表面和侧面形成栅极侧墙；

去除部分所述第一叠层结构，形成源漏区域；

其中，所述源漏区域为所述用于生长第二叠层结构的所述衬底上的部分区域，所述源漏区域暴露所述衬底。