[发明专利]一种四结太阳能电池及其制作方法在审

申请号：	201910361710.X	申请日：	2019-04-30
公开（公告）号：	CN110085704A	公开（公告）日：	2019-08-02
发明（设计）人：	李俊承;吴真龙;何胜;邢永禄;郭文辉	申请（专利权）人：	扬州乾照光电有限公司
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0687
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	王宝筠
地址：	225101***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池电池键合处光电转换效率短波光谱高能粒子减少材料欧姆接触键合层接触层透光性保证短波键合失配吸收正向制备反射制作生长
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【权利要求书】：

1.一种四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一独立电池及正向生长的GaInP/InGaAs/Ge三结电池，所述独立电池包括衬底和位于所述衬底上的InGaN电池；

在所述InGaN电池背离所述衬底一侧沉积第一ITO接触层，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池的GaInP顶电池一侧沉积第二ITO接触层；

在所述第一ITO接触层背离所述衬底一侧形成第一IZO键合层，及在所述第二ITO接触层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧形成第二IZO键合层；

将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层；

去除所述衬底；

在所述InGaN电池背离所述IZO键合层一侧形成正面电极结构，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池背离所述IZO键合层一侧形成背面电极结构。

2.根据权利要求1所述的四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第一ITO接触层背离所述衬底一侧形成第一IZO键合层，及在所述第二ITO接触层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧形成第二IZO键合层，包括：

采用溶胶凝胶法，在所述第一ITO接触层背离所述衬底一侧形成第一IZO键合层，及在所述第二ITO接触层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧形成第二IZO键合层。

3.根据权利要求2所述的四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述溶胶凝胶法包括第一阶段和第二阶段：

在所述第一阶段，旋涂IZO溶胶，转速为300r/min-600r/min，且持续时间为20s-30s；

在所述第二阶段，转速调整为1500r/min-1800r/min，且持续时间为70s-80s，而后采用150℃-180℃氮气烘箱或120℃-150℃的热板进行烘烤10min-15min，使所述IZO溶胶转换为IZO凝胶后，采用240℃-260℃氮气烘箱烘烤50min-70min，形成所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层。

4.根据权利要求2所述的四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层，包括：

对所述第一IZO键合层背离所述InGaN电池一侧表面、及对所述第二IZO键合层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧表面进行抛光处理；

对所述第一IZO键合层背离所述InGaN电池一侧表面、及对所述第二IZO键合层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧表面进行活化处理；

采用直接键合技术将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层。

5.根据权利要求4所述的四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，采用直接键合技术将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层，包括：

在所述活化处理后的2min内将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层直接贴合；

在键合机内将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层。

6.根据权利要求5所述的四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，在键合机内将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层，其中，所述键合机内工艺参数首先调整压力为1800kgf-7200kgf，温度为140℃-160℃，压合时间为300s-500s；

而后升压为12500kgf-11500kgf，其中，升压时间300s，压合时间1800s，温度为245℃-255℃；

最后调整压力为1800kgf-7200kgf，温度为245℃-255℃，压合时间600s。

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