[发明专利]二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法

权利要求书

1.一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：包含以下步骤：

对无结晶相的二硅酸锂玻璃施予热处理以形成结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷，且定义该二硅酸锂玻璃陶瓷具有欲加工区；及

以脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷加工，以移除该二硅酸锂玻璃陶瓷的欲加工区的材料，且该脉冲式激光的脉冲宽度小于等于10^-9秒。

2.根据权利要求1所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该热处理是实施至少两阶段热处理，该至少两阶段热处理是依序成核与结晶化该二硅酸锂玻璃，且该至少两阶段热处理所形成的二硅酸锂玻璃陶瓷的结晶度是介于50％至95％间。

3.根据权利要求2所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该脉冲式激光是选自奈秒激光、皮秒激光，或飞秒激光。

4.根据权利要求3所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该脉冲式激光的扫描速度介于600mm/sec至1000mm/sec间。

5.根据权利要求4所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷的单位时间移除量介于11.8mm³/min至60mm³/min间。

6.根据权利要求1所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：于实施该热处理前还包含以下步骤：

研磨含有氧化硅粉末与氧化锂粉末的混合物；

煅烧该混合物以形成一批稳定性粉体；

熔融该批稳定性粉体成熔汤；及

倾倒该熔汤于经预热的模具中以成形出该无结晶相的二硅酸锂玻璃。

7.根据权利要求6所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该混合物的氧化硅对氧化锂的摩尔比介于2.1至2.5间。

8.根据权利要求1所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：于该脉冲式激光加工后还包含加工后热处理步骤。