[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一像素区、第二像素区以及位于第一像素区和第二像素区之间的隔离区；

在所述衬底第一像素区内形成第一光电掺杂区；

在所述衬底第二像素区内形成多个相互分立的第二光电掺杂区；

在所述衬底隔离区内形成凹槽；

在所述凹槽底部表面和侧壁表面形成导电层；

在所述衬底第一像素区表面形成遮挡层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层的厚度范围为2100埃～2400埃。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为金属材料；所述金属材料包括：铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述遮挡层的材料和所述导电层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述遮挡层还与所述导电层连接。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述导电层的过程中，形成所述遮挡层。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述遮挡层和导电层的形成方法包括：在衬底第一像素区和隔离区表面形成初始导电层，所述初始导电层覆盖凹槽底部表面和侧壁表面；位于衬底第一像素区表面的初始导电层为遮挡层，位于凹槽底部表面和侧壁表面的初始导电层为导电层。

8.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：在所述衬底第一像素区、第二像素区和隔离区表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出衬底隔离区；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀衬底，在衬底隔离区内形成所述凹槽。

9.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底第二像素区表面形成栅格层，所述栅格层位于相邻第二光电掺杂区之间的衬底第二像素区表面；所述栅格层与导电层连接。

10.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述栅格层的材料和所述导电层的材料相同。

11.根据权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述栅格层和导电层形成方法：在衬底第一像素区和隔离区表面形成初始导电层，所述初始导电层还位于衬底第二像素区表面；在所述初始导电层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层覆盖第一像素区和隔离区的初始导电层，所述第二图形化层内具有开口，所述开口暴露出部分第二像素区的初始导电层表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀去除所述开口暴露出的第二像素区的初始导电层，在衬底第二像素区表面形成栅格层，相邻栅格层之间具有栅格凹槽。

12.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底具有相对的第一面和第二面；所述衬底还包括：位于衬底第二像素区内和衬底隔离区内的浅沟槽隔离层，所述浅沟槽隔离层位于相邻第二光电掺杂区之间、隔离区与第一像素区之间以及隔离区与第二像素区之间，所述衬底的第一面暴露出所述浅沟槽隔离层；所述衬底还包括：位于衬底第二像素区内的深沟槽隔离层，所述深沟槽隔离层位于相邻第二光电掺杂区之间、以及隔离区与第二像素区之间，所述衬底的第二面暴露出所述深沟槽隔离层；所述凹槽顶部位于所述衬底的第二面。

13.根据权利要求12所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述凹槽底部暴露出浅沟槽隔离层。

14.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度范围为1.5um～2.5um。

15.一种采用如权利要求1至14任意一项所述的方法形成的图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一像素区、第二像素区以及位于第一像素区和第二像素区之间的隔离区；

位于所述衬底第一像素区内的第一光电掺杂区；

位于所述衬底第二像素区内的多个相互分立的第二光电掺杂区；

位于所述衬底隔离区内的凹槽；

位于所述凹槽底部表面和侧壁表面的导电层；

位于所述衬底第一像素区表面形成遮挡层。