[发明专利]光电二极管及其形成方法

权利要求书

1.一种光电二极管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区为第一掺杂类型；

在所述第一掺杂区内形成光电凹陷部；

形成第二掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层填充所述光电凹陷部的至少一部分；

其中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同。

2.根据权利要求1所述的光电二极管的形成方法，其特征在于，所述第一外延层覆盖所述光电凹陷部的底部表面以及侧壁，所述光电凹陷部未被填充的部分形成第一凹陷部，所述方法还包括：

形成第一掺杂类型的第二外延薄膜，所述第二外延薄膜覆盖所述第一外延层的表面，所述第一凹陷部未被填充的部分形成第二凹陷部；

形成第二掺杂类型的第三外延层，所述第三外延层位于所述第二凹陷部内；

其中，所述第一外延层、第二外延薄膜以及第三外延层的顶部表面与所述半导体衬底的表面齐平。

3.根据权利要求2所述的光电二极管的形成方法，其特征在于，所述第一外延层包括堆叠的多层第一外延子层，其中，越靠近所述第二外延薄膜的第一外延子层的掺杂浓度越大。

4.根据权利要求2所述的光电二极管的形成方法，其特征在于，所述第三外延层包括堆叠的多层第三外延子层，其中，越靠近所述第二外延薄膜的第三外延子层的掺杂浓度越大。

5.根据权利要求1所述的光电二极管的形成方法，其特征在于，

所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。

6.根据权利要求1所述的光电二极管的形成方法，其特征在于，

所述光电凹陷部的截面形状为方形，所述截面平行于所述半导体衬底的表面。

7.一种光电二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区为第一掺杂类型；

光电凹陷部，位于所述第一掺杂区内；

第二掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层填充所述光电凹陷部的至少一部分；

其中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述第一外延层覆盖所述光电凹陷部的底部表面以及侧壁，且所述光电凹陷部未被填充的部分形成第一凹陷部，所述光电二极管还包括：

第一掺杂类型的第二外延薄膜，所述第二外延薄膜覆盖所述第一外延层的表面，所述第一凹陷部未被填充的部分形成第二凹陷部；

第二掺杂类型的第三外延层，所述第三外延层位于所述第二凹陷部内；

其中，所述第一外延层、第二外延薄膜以及第三外延层的顶部表面与所述半导体衬底的表面齐平。

9.根据权利要求8所述的光电二极管，其特征在于，所述第一外延层包括堆叠的多层第一外延子层，其中，越靠近所述第二外延薄膜的第一外延子层的掺杂浓度越大。

10.根据权利要求8所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外延层包括堆叠的多层第三外延子层，其中，越靠近所述第二外延薄膜的第三外延子层的掺杂浓度越大。