[发明专利]基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的表面形成有沿所述衬底的表面延伸的微沟道，所述微沟道的一端为入口端，另一端为出口端；

微阻挡柱组件，位于所述微沟道内，且临近所述微沟道的出口端；

至少一个微筛选柱组件，位于所述微沟道内，且位于所述微阻挡柱组件与所述微沟道的入口端之间。

2.根据权利要求1所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，

所述微阻挡柱组件包括若干个微阻挡柱，若干个所述微阻挡柱均位于所述微沟道内，且沿所述微沟道的宽度方向间隔排布；

所述微筛选柱组件包括若干个微筛选柱，若干个所述微筛选柱均位于所述微沟道内，且沿所述微沟道的宽度方向间隔排布；相邻所述微筛选柱之间的间距大于相邻所述微阻挡柱之间的间距。

3.根据权利要求2所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，所述基于MEMS的多固定相微型填充柱结构包括多个所述微筛选柱组件，多个所述微筛选柱组件于所述微沟道内沿所述微沟道延伸的方向间隔排布，且沿所述微沟道自所述入口端至所述出口端的延伸方向，不同所述微筛选柱组件中相邻所述微筛选柱之间的间距依次减小。

4.根据权利要求1所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，所述微沟道于所述衬底的表面呈蛇形延伸。

5.根据权利要求1所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，所述基于MEMS的多固定相微型填充柱结构还包括盖板，所述盖板键合于所述衬底形成有所述微沟道的表面，且覆盖所述微沟道。

7.根据权利要求6所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构，其特征在于，所述盖板包括玻璃盖板、硅盖板或陶瓷盖板。

8.一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，于所述衬底的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层定义出后续形成的微沟道、微阻挡柱组件及微筛选柱组件的形状及位置；

基于所述图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底的表面形成所述微沟道、所述微阻挡柱组件及至少一个所述微筛选柱组件；所述微沟道沿所述衬底的表面延伸，所述微沟道的一端为入口端，另一端为出口端；所述微阻挡柱组件位于所述微沟道内，且临近所述微沟道的出口端；所述微筛选柱组件位于所述微沟道内，且位于所述微阻挡柱组件与所述微沟道的入口端之间。

9.根据权利要求8所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构的制备方法，其特征在于，

形成的所述微阻挡柱组件包括若干个微阻挡柱，若干个所述微阻挡柱均位于所述微沟道内，且沿所述微沟道的宽度方向间隔排布；

形成的所述微筛选柱组件包括若干个微筛选柱，若干个所述微筛选柱均位于所述微沟道内，且沿所述微沟道的宽度方向间隔排布；相邻所述微筛选柱之间的间距大于相邻所述微阻挡柱之间的间距。

10.根据权利要求9所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构的制备方法，其特征在于，制备的所述微筛选柱组件的数量为多个，多个所述微筛选柱组件于所述微沟道内沿所述微沟道延伸的方向间隔排布，且沿所述微沟道自所述入口端至所述出口端的延伸方向，不同所述微筛选柱组件中相邻所述微筛选柱之间的间距依次减小。

11.根据权利要求8所述的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构的制备方法，其特征在于，形成的所述微沟道于所述衬底的表面呈蛇形延伸。