[发明专利]包含掺碳氧化物的集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

半导体材料结构，其各自包括晶体管沟道区域，且其在含金属结构上方；及

掺碳氧化物，其邻近且直接抵靠所述半导体材料结构中的每一者的至少部分，且邻近且直接抵靠所述含金属结构的侧壁；所述掺碳氧化物具有至少约3体积％的碳浓度。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述掺碳二氧化硅是低k材料。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述碳浓度在从约3体积％到约20体积％的范围内。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述掺碳氧化物本质上由掺碳二氧化硅组成。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述含金属结构是数字线。

6.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述晶体管沟道区域各自在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间；且其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含沿所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域中的至少一者的表面。

7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含沿所述晶体管沟道区域的表面。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含沿所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域两者的表面。

9.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述半导体材料结构是具有四个侧壁的竖直柱；每一竖直柱的所述四个侧壁中的两者是呈彼此相对的关系且邻近于字线的门控侧壁，且其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含每一竖直柱的所述四个侧壁中的另外两者的区段。

10.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述半导体材料结构是具有四个侧壁的竖直柱；每一竖直柱的所述四个侧壁中的两者是呈彼此相对的关系且邻近于字线的门控侧壁；其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含每一竖直柱的所述四个侧壁的另外两者的全部；其中所述含金属结构是数字线；其中所述含金属结构的所述侧壁邻近所述四个侧壁中的所述另外两者；其中所述竖直柱中的每一者具有所述晶体管沟道区域上方的上源极/漏极区域；且其中电容器与所述上源极/漏极区域耦合。

11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述字线邻近所述门控侧壁，且其中所述掺碳氧化物在所述字线上方延伸且直接抵靠所述字线。

12.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述电容器及下层竖直柱包括1T-1C存储器单元。

13.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述半导体材料结构中的每一者的所述部分包含所述门控侧壁的区段。

14.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述掺碳氧化物是具有在从约到约的范围内的厚度的连续层。

15.根据权利要求4所述的集成组合件，其进一步包括邻近所述掺碳氧化物的绝缘材料，其中所述掺碳氧化物在所述绝缘材料与含金属结构之间。

16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述绝缘材料由二氧化硅组成。

17.根据权利要求16所述的集成组合件，其中所述绝缘材料直接抵靠所述掺碳氧化物。