[发明专利]一种外延片的制造方法

说明书

本发明提供一种外延片的制造方法，所述制造方法包括：提供外延衬底；测试所述外延衬底的平坦度；对平坦度不符合标准的所述外延衬底执行气相刻蚀处理，以改善所述外延衬底的平坦度；在经过所述气相刻蚀处理后的所述外延衬底上生长外延层。本发明提供的外延片的制造方法通过气相刻蚀调整外延衬底的平坦度，相比传统的返工抛光方法而言，流程简单快速，可以节省产线产能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种外延片的制造方法。

背景技术

外延片是IC(Integrated Circuit集成电路)器件制造的一种基础材料。外延片通常采用化学气相沉积方法，在抛光硅片上再生长一层单晶硅薄膜，实现对硅片表面质量与导电性能的改善调控。

后道器件的应用决定了，越来越多的电路与电子元件需要在外延片上制作完成。随着集成电路设计朝向轻、薄、短、小及省电化的发展趋势，对于外延片的性能要求也不断苛刻。平坦度是外延片性能的一项主要指标，高端IC器件对平坦度有严格的要求，平坦度改善是硅材料主要研究方向之一。

外延片平坦度调控受外延衬底与外延过程两方面影响，外延衬底平坦度的好坏会直接影响到最终性能。通常外延衬底平坦度使用抛光工艺进行调节，然后经过分拣机将符合规格的外延衬底分选出送到外延站，进行实际外延，不符合规格的外延衬底会降级成其它低阶产品或返回抛光段重新加工，流程较为复杂，并且耗费产线产能。

因此，有必要提出一种外延片的制造方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种外延片的制造方法，所述制造方法包括：

提供外延衬底；

测试所述外延衬底的平坦度；

对平坦度不符合标准的所述外延衬底执行气相刻蚀处理，以改善所述外延衬底的平坦度；

在经过所述气相刻蚀处理后的所述外延衬底上生长外延层。

示例性地，在所述测试所述外延衬底的平坦度的步骤之前，还包括：

对所述外延衬底进行抛光。

示例性地，所述气相刻蚀处理的刻蚀气体为HCl。

示例性地，通过调整所述气相刻蚀处理的刻蚀气体流量、刻蚀时间、刻蚀温度和/或载气流量来调控所述外延衬底的平坦度。

示例性地，所述刻蚀气体流量为1slm-20slm。

示例性地，所述刻蚀时间为1s-50s。

示例性地，所述刻蚀温度为1100℃-1200℃。

示例性地，所述气相刻蚀处理的载气为氢气。

示例性地，所述氢气的流量为60slm-120slm。

示例性地，所述气相刻蚀处理基于单片式外延炉进行。

本发明提供的外延片的制造方法通过气相刻蚀调整外延衬底的平坦度，相比传统的返工抛光方法而言，流程简单快速，可以节省产线产能。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了本发明一实施例所提供的外延片的制造方法的流程图；