[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910365118.7 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110767717B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 马宏帅;孙光远;马志丽;张九占;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板,包括显示区,显示区包括第一显示区与第二显示区;第一显示区与第二显示区邻接;第二显示区的透光率大于第一显示区的透光率;第一显示区包括阵列式排布的第一OLED像素与信号线;第二显示区包括阵列式排布的第二OLED像素;第二OLED像素具有第一像素电路,信号线位于阵列式排布的第一OLED像素之间,并连接至第二OLED像素的第一像素电路。根据本发明的实施例,由于连接至第二显示区中的第二OLED像素的第一像素电路的信号线位于第一显示区,因此,可以降低信号线的IR‑Drop。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此,相关技术中屏幕顶部通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如,苹果手机iphoneX的“刘海”区域,影响了屏幕的整体一致性。目前,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种阵列基板,包括显示区,所述显示区包括第一显示区与第二显示区;所述第一显示区与所述第二显示区邻接;所述第二显示区的透光率大于所述第一显示区的透光率;所述第一显示区包括阵列式排布的第一OLED像素与信号线;所述第二显示区包括阵列式排布的第二OLED像素;
所述第二OLED像素具有第一像素电路,所述信号线位于阵列式排布的第一OLED像素之间,并连接至所述第二OLED像素的第一像素电路。
在一个实施例中,所述信号线包括电源线。
优选地,所述阵列基板还包括围绕所述显示区的非显示区;所述非显示区包括电源芯片;所述电源线与所述电源芯片连接。
由于连接至第二显示区中的第二OLED像素的第一像素电路的电源线位于第一显示区,因此,可以避免电源线绕道引入的IR-Drop,进而可以减小显示区之间的显示亮度差异,使显示面板的显示效果更均匀,改善显示面板的显示效果。
在一个实施例中,所述电源线的数目大于1,且所有所述电源线并联后连接至所述第一像素电路。
这样,可以减小电源线的电阻,可以进一步降低IR-Drop,减小显示区之间的显示亮度差异。
在一个实施例中,所有所述电源线位于同一层。
优选地,所述第一OLED像素包括第一阳极、位于所述第一阳极上的第一发光层以及位于第一发光层上的第一阴极,所有所述电源线与所述第一阳极位于同一层。
这样,为第二显示区提供电源信号的电源线可与第一显示区中的像素的阳极在同一工艺流程中制备,节约制备流程。而且,还可以避免影响阵列基板的厚度。
优选地,所述第一阳极为反射阳极;所述电源线的材料与所述第一阳极的材料相同;所有所述电源线并联后搭接至所述第一像素电路。
这样,为第二显示区提供电源信号的电源线可与第一显示区中的像素的阳极在同一工艺流程中制备,节约制备流程。
优选地,所述第二OLED像素包括第二阳极、位于所述第二阳极上的第二发光层以及位于第二发光层上的第二阴极;所述第二阳极为透明阳极;所述电源线的材料与所述第二阳极的材料相同,且所述电源线与所述第二阳极位于同一层。
这样,电源线可与第一像素电路直接连接,连接方式简单,易于实现,可降低工艺难度,电源线可与第二阳极在同一工艺中制作,简化工艺。
在一个实施例中,所有所述电源线位于不同层。
优选地,所有所述电源线分布在至少两层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的