[发明专利]一种高速互补类型双电源运算放大器

权利要求书

1.一种高速互补类型双电源运算放大器，其特征在于，包括：

差分输入端、推挽反相放大电路、共源共栅放大电路；

所述差分输入端与推挽反相放大电路的差分输入端连接；

所述推挽反相放大电路的输出端与所述共源共栅放大电路的信号输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种高速互补类型双电源运算放大器，其特征在于，所述推挽反相放大电路包括：PMOS管P1、PMOS管P2、NMOS管N1、NMOS管N2、电源端VDD；

第一差分信号Vin_N通过所述差分输入端输入所述PMOS管P1和所述NMOS管N1的栅极，第二差分信号Vin_P通过所述差分输入端输入所述PMOS管P2和所述NMOS管N2的栅极；

所述PMOS管P1和所述PMOS管P2的漏极、衬底均与所述电源端VDD连接；

所述PMOS管P1和所述PMOS管P2的源极分别通过输出端Vout1_N和输出端Vout1_P输出至共源共栅放大电路；

所述NMOS管N1和所述NMOS管N2的漏极分别通过输出端Vout1_N和输出端Vout1_P至共源共栅放大电路。

3.根据权利要求1所述的一种高速互补类型双电源运算放大器，其特征在于，所述共源共栅放大电路包括：共模反馈电路、偏置电压输入端Vbias、辅助运放AMP_N、辅助运放AMP_P、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6；

所述PMOS管P3的栅极与共模反馈电路的输出端连接，所述PMOS管P3的漏极和衬底与所述电源端VDD连接，所述PMOS管P3的源极与所述PMOS管P4、PMOS管P5的漏极连接；

所述PMOS管P4、PMOS管P5的衬底均与所述电源端VDD连接，所述PMOS管P4、PMOS管P5的源极分别与所述辅助运放AMP_P的输入端AMP_P_IN+、输入端AMP_P_IN-连接，所述PMOS管P4、PMOS管P5的源极还分别与所述PMOS管P6、PMOS管P7的漏极连接，所述PMOS管P4、PMOS管P5的栅极与所述偏置电压输入端Vbias连接；

所述PMOS管P6、PMOS管P7的栅极分别与辅助运放AMP_P的输出端AMP_P_OUT+、输出端AMP_P_OUT-连接，所述PMOS管P6、PMOS管P7的源极分别通过输出端Vout_N、输出端Vout_P输出，所述PMOS管P6、PMOS管P7的衬底与所述电源端VDD，所述PMOS管P6、PMOS管P7的源极分别与所述NMOS管N5、NMOS管N6的漏极连接；

所述NMOS管N3、NMOS管N4的栅极分别与所述推挽反向电路的输出端Vout1_N、输出端Vout1_P连接，所述NMOS管N3、NMOS管N4的源极接地GND，所述NMOS管N3、NMOS管N4的衬底均接地GND，所述NMOS管N3、NMOS管N4的漏极分别与所述辅助运放AMP_N的输入端AMP_N_IN+、输入端AMP_N_IN-连接，所述NMOS管N3、NMOS管N4的漏极还分别与所述NMOS管N5、NMOS管N6的源极连接；

所述NMOS管N5、NMOS管N6的源极分别与所述辅助运放AMP_N的输入端AMP_N_IN+、输入端AMP_N_IN-连接，所述NMOS管N5、NMOS管N6的衬底均接地GND，所述NMOS管N5、NMOS管N6的栅极分别与所述辅助运放AMP_N的输出端AMP_N_OUT+、输出AMP_N_OUT-连接；

所述共模反馈电路的差分输入端分别与输出端Vout_N、输出端Vout_P连接。