[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910365976.1 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN110061085B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 王德亮;郑根华;王东明;王敏;王光伟;蔡彦博 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L31/073 分类号: H01L31/073;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,自下往上依次包括:衬底(1)、透明导电玻璃层(2)、掺镁氧化锌层(3)、钝化层(4)、CdTe层(6)以及背电极缓冲层(7),还包括金属电极(8),所述金属电极(8)的正极生长在所述背电极缓冲层(7)上,所述金属电极(8)的负极生长在所述透明导电玻璃层(2)上;

其中,所述掺镁氧化锌层(3)用作透过太阳光的窗口层,所述钝化层(4)用于调节所述太阳能电池的能带结构,所述钝化层(4)为SnO2薄膜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述掺镁氧化锌层(3)的厚度为20-200nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述钝化层(4)的厚度为1-10nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述钝化层(4)和CdTe层(6)之间还设置有N型窗口层(5),所述N型窗口层(5)为CdS薄膜、CdSe薄膜或CdSexTe1-x薄膜。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中,所述CdS薄膜的厚度为20-100nm;所述CdSe薄膜的厚度为20-100nm,所述CdSe薄膜与所述CdTe层(6)之间扩散形成厚度为200-1000nm的CdSexTe1-x薄膜;所述CdSexTe1-x薄膜的厚度为200-1000nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述CdTe层(6)的厚度为3-5μm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述背电极缓冲层(7)为ZnTe薄膜,其厚度为100nm。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述金属电极(8)为Cu/Au合金,所述Cu/Au合金中Cu的厚度为5nm,所述Cu/Au合金中Au的厚度为300nm。

9.一种太阳能电池的制备方法,包括:

步骤1,清洗衬底(1)和透明导电玻璃层(2);

步骤2,在所述透明导电玻璃层(2)上自下往上依次生长掺镁氧化锌层(3)、钝化层(4)和N型窗口层(5),其中,所述钝化层(4)为SnO2薄膜;

步骤3,对所述衬底(1)、透明导电玻璃层(2)、掺镁氧化锌层(3)、钝化层(4)和N型窗口层(5)进行热处理;

步骤4,在热处理后的所述N型窗口层(5)上自下往上依次生长CdTe层(6)、背电极缓冲层(7)以及金属电极(8)的正极,在热处理后的所述透明导电玻璃层(2)上生长所述金属电极(8)的负极。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法,其中,所述热处理的温度为400-700℃,保护气氛为N2,气压为0.1-8Pa,时间为20-60min。

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