[发明专利]凹凸棒石/C2 有效
申请号: | 201910366037.9 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110404570B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 张莉莉;汤超;秦豆豆;王婧怡;殷竟洲;赵伟;李乔琦;程志鹏;周守勇;赵宜江;汪信 | 申请(专利权)人: | 淮阴师范学院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J35/10;C02F1/30;C25B1/04;C25B11/067;C25B11/075;C02F101/38 |
代理公司: | 南京新慧恒诚知识产权代理有限公司 32424 | 代理人: | 邓唯 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹凸 base sub | ||
本发明提供一种凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,利用原位化学反应将二维C2N薄层负载于一维凹凸棒石表面,有效抑制C2N薄层再次聚集,在有效暴露活性位点的同时提高其比表面积,获得具有优异光、电性能的新型凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料。
技术领域
本发明属于新材料领域,具体涉及一种凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法。
背景技术
近年来,碳氮化物基纳米结构材料,由于具有资源丰富、热稳定性和化学稳定性好、电子结构可调、无毒无害、成本低廉等优点,在光催化分解水领域引起了极大的关注[13,14]。其中C2N是目前最新报道的类石墨相氮化碳,它具有二维层状结构,理论预测表明其禁带宽度1.96 eV。在C2N的二维薄层平面结构中,存在周期性的小孔,孔的边界由氮原子组成,导致电子在氮原子富集;而且C2N片层之间的作用力较弱,具有表面活性位点多,比表面积大,电子传导效率等特点,因此,在光电分解水、锂离子电池等领域具有较好的应用前景。
二维材料特别是超薄二维材料,具有比零维和一维材料具有更高的比表面积、更多的表面活性位点、更有益的电子迁移率、更大的电子转移平台等优点,体现出高效的光学、电学及催化性能。但单层或薄层C2N必然存在着二次聚合的倾向,如何用简单、低耗的方法获得C2N薄层材料,并且能有效抑制其二次聚集,是一个具有挑战性的话题。
发明内容
本发明的技术方案中,在合成C2N薄层材料的同时,将其通过强键合作用固定在具有较高比表面积的载体上,将有效抑制其再次聚集,在有效暴露活性位点的同时提高其比表面积;同时,强键合作用将为电子快速传递提供通道,这对于其光、电性能的提高都具有积极意义。
凹凸棒石(简称凹凸棒石,英文Attapulgite缩写为ATP)是江苏淮安的特色优势资源,它一种层链状晶体结构的镁铝硅酸盐粘土矿物,具有独特的纤维状晶体结构和发达的内外比表面积,是一种天然的一维纳米材料,其表面富含羟基和明显的负电性,容易与氨基等极性基团发生反应,成为其接枝、改性等重要活性位点;而且具有价廉、稳定、透光性好、吸附性能强,而且由于表面富含羟基无需预处理等优点,是性能优异的载体材料。因此,为了有效抑制C2N薄层的二次聚集,同时降低其合成成本,本专利公布一种以一维凹凸棒石作为二维C2N薄层载体,通过化学键合作用将C2N薄层有效固定在凹凸棒石表面,发挥二者的协同效应,获得凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,所得的复合材料将大幅度提高C2N薄层的稳定性,改善其性能,同时将降低其合成成本。
本发明提供一种凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,利用原位化学反应将二维C2N薄层负载于一维凹凸棒石表面,有效抑制C2N薄层再次聚集,在有效暴露活性位点的同时提高其比表面积,获得具有优异光、电性能的新型凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料。
凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料,所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体,在一维凹凸棒石表面负载有C2N二维薄层材料。
上述的凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,包括如下步骤:
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