[发明专利]光电接收器及光电接收器的制作方法

说明书

本申请公开了一种光电接收器和光电接收器的制作方法，所述光电接收器包括管座、管脚、第一电子元件和第二电子元件，所述管座设有安装端面，所述安装端面设有凹槽，所述管脚由所述凹槽底部穿过所述管座，所述管脚的端部沉入所述凹槽内，所述第一电子元件堆叠于所述安装端面上，所述第一电子元件在贴合所述安装端面一侧设有收容于所述凹槽内并与所述管脚导通的焊盘，所述第二电子元件与所述第一电子元件并排，并与所述第一电子元件经线缆导通。所述第一电子元件可堆叠于所述管脚上，有效减小了所述光电接收器整体体积，节省了使用空间。

技术领域

本申请涉及光电通信设备领域，尤其涉及一种光电接收器及光电接收器的制作方法。

背景技术

随着通讯行业的快速发展以及人民生活水平的不断提高，人们对网络传输速率要求越来越高，因此对光器件的传输速率要求也越来越高。目前网络传输速率的光器件升级换代越来越快，光器件的生产规模也越来越大，网络光器件的生产投入成本也升高。然而，网络技术的发展需要朝高性能底成本方向。在网络技术中，光器件成本占比高，光器件的研发制造是网络技术升级需要考虑的重中之重。

而随着对光器件传输速率要求的提高，使得对产品芯片要求也越来越高，芯片内部结构越来越复杂，随着芯片电路功能的复杂以及应对高频信号的抗干扰处理，使得跨阻放大器(TIA)的尺寸不得不变得更大。

当前E/GPON和10G－PON的光器件产业链已经成熟，对于10G－PON之后的下一代PON，业界最近研究较多的是单波长25G－PON。单波长25G－PON会用到体积越来越大的跨阻信号放大器。但是体积越大的跨阻信号放大器越会占用光电接收器较多的使用空间。

在跨阻放大器的体积变得越来越大的情况下，跨阻放大器的后端应用上又希望光器件的管座的尺寸保持原样，由于管座的芯片容置空间没有扩大，跨阻信号放大器确变得更大了，导致管座空间无法放置跨阻放大器、光电探测芯片、电容、电阻等相关芯片，因此对芯片之间的排布、管座相关改进提出了更大的要求。

在目前情况中，光电接收器的管座上除了排布较大体积的跨阻信号放大器后，还需要排布穿过管座的管脚，以利用管脚与跨阻信号放大器导通。在管脚与跨阻信号放大器并排的结构下，光电接收器的管座整体体积随着跨阻信号放大器体积增大而增大。

现有技术中提供了一种可插拔式多横模光接收组件(公开号：CN 207181762U)，包括转换组件，转换组件包括底座和设置于底座左端的管帽，所述管帽和底座装配后形成一个空腔，所述空腔内设置有光电探测器芯片和跨阻放大器，光电探测器芯片设置于跨阻放大器的上端，光电探测器芯片通过导电银胶与跨阻放大器导通。通过光电探测器芯片堆叠于跨阻放大器上，用于解决跨阻放大器和光电探测器排布空间较大的技术问题。在此种结构下，可以保证光电探测器芯片与穿过底座的管脚有效电性连接，充分利用了管脚与跨阻信号放大器的结构排布空间，但是将光电探测器芯片堆叠于跨阻放大器上，制作成本较高，光电探测器芯片的定位精度难以控制，而且光电探测器芯片与跨阻放大器的导通性能也会有所降低。即在此种结构下，虽可以有效减小光接收组件的整体体积，但是光接收组件的成本依然增大，且光电探测芯片的定位精度较低，光接收组件的光电转换效率降低，无法满足低成本高性能的发展要求。

因此，在光器件的管座上如何排布光电探测器芯片、跨阻信号放大器和管脚的结构，成了光器件的结构优化非常重要的问题。而光电探测器芯片的结构排布常要求较高，难以控制精度。因此，跨阻信号放大器和管脚的结构如何排布则成了光接收组件研发和制造过程中重中之重的问题。

发明内容

本申请提供一种光电接收器和光电接收器的制作方法。