[发明专利]快速制备垂直石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201910367340.0 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110106492A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴雪梅;季佩宇;金成刚;陈佳丽;诸葛兰剑 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/503;C23C16/505;C01B32/186 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体化学气相沉积装置 螺旋波 石墨烯 衬底 垂直 制备 快速制备 射频电源 直流电源 沉积 本底真空 射频功率 射频频率 轴向磁场 真空抽 加热 应用 | ||
1.一种快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；
（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；
（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz-60 MHz、射频功率为300-5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100-10000 Gs；
（4）继续通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH4，CH4的流量为50-200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。
2.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，本底真空为2×10-6Torr。
3.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，射频频率为13.56 MHz、射频功率为1500W。
4.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，轴向磁场强度为1400Gs。
5.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（3）和步骤（4）中，Ar的流量为50 sccm。
6.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（4）中，甲烷的流量为145sccm。
7.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，衬底为单晶硅片和石英玻璃片。
8.根据权利要求1所述的快速制备垂直石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，衬底温度为室温。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
