[发明专利]使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括多个控制栅极中的相应控制栅极，并且其中所述多个控制栅极中的每个控制栅极耦接到公共电荷俘获层；和

控制电路，被配置为：

在电荷俘获层的第一部分中生成第一带电区域，所述电荷俘获层的第一部分位于所述多个控制栅极中的第一控制栅极和第二控制栅极之间；

接收要存储在所述多个存储器单元中的多个数据位值；

通过在与第一控制栅极对应的电荷俘获层的第二部分中生成第二带电区域来存储所述多个数据位值中的第一数据位值；以及

通过在与第二控制栅极对应的电荷俘获层的第三部分中生成第三带电区域来存储所述多个数据位值中的第二数据位值。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，为了在电荷俘获层的第一部分中生成所述第一带电区域，所述控制电路还被配置为在接收所述多个数据位值之前在所述电荷俘获层中生成所述第一带电区域。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制电路还被配置为通过向所述第一控制栅极施加第一电压水平并且向所述第二控制栅极施加第二电压水平来定位所述第一带电区域，其中第一电压水平大于第二电压水平。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制电路还被配置为在所述电荷俘获层的与所述第一控制栅极和所述第二控制栅极相关联的第四部分中生成第四带电区域，并且其中为了生成所述第四带电区域，所述控制电路还被配置为通过向第二控制栅极施加第三电压水平并且向第一控制栅极施加第四电压水平来定位第四带电区域，其中第三电压水平大于第四电压水平。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制电路还被配置为使所述第二带电区域放电并且使所述第三带电区域放电，同时保持存储在所述第一带电区域中的电荷。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制电路还被配置为调节所述第一带电区域中的电荷量，其中所述电荷量取决于所述电荷俘获层的磨损量的指示。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中，所述指示包括指示与所述第一控制栅极和所述第二控制栅极相关联的编程和擦除循环的数量的信息。

8.一种用于存储数据的方法，包括：

在电荷俘获层的第一部分中生成第一带电区域，所述电荷俘获层的第一部分位于多个控制栅极中的第一控制栅极和第二控制栅极之间，其中所述多个控制栅极中的每个控制栅极对应于多个存储器单元中的相应存储器单元，并且其中所述多个控制栅极中的每个控制栅极耦接到公共电荷俘获层；

接收要存储在所述多个存储器单元中的多个数据位值；

通过在与第一控制栅极对应的电荷俘获层的第二部分中生成第二带电区域来存储所述多个数据位值中的第一数据位值；以及

通过在与第二控制栅极对应的电荷俘获层的第三部分中生成第三带电区域来存储所述多个数据位值中的第二数据位值。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在电荷俘获层的第一部分中生成所述第一带电区域还包括在接收所述多个数据位值之前在所述电荷俘获层中生成所述第一带电区域。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括通过向所述第一控制栅极施加第一电压水平并且向所述第二控制栅极施加第二电压水平来定位所述第一带电区域，其中第一电压水平大于第二电压水平。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述电荷俘获层的与所述第一控制栅极和所述第二控制栅极相关联的第四部分中生成第四带电区域，其中生成所述第四带电区域包括通过向第二控制栅极施加第三电压水平并且向第一控制栅极施加第四电压水平来定位第四带电区域，其中第三电压水平大于第四电压水平。