[发明专利]通过电线放电加工实施SiC材料切片的方法

权利要求书

1.一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法，所述方法包括：

利用支撑衬底来支撑所述基底SiC晶片；

在由所述支撑衬底支撑所述基底SiC晶片时，作为电线放电加工（WEDM）过程的部分，使用引线在与所述基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿所述基底SiC晶片，以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离，所述产品晶片当从所述基底SiC晶片被切割时，被附接到所述支撑衬底，其中，所述WEDM过程包括在所述引线与所述基底SiC晶片之间施加介电液体，并且在引线切穿所述基底SiC晶片时，在横向于所述基底SiC晶片的侧面的方向上移动所述引线；以及

在所述WEDM过程期间，在所述引线切穿所述基底SiC晶片时，旋转所述基底SiC晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之后，在所述产品晶片背对着所述支撑衬底的表面上形成外延SiC层。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之后，并且在形成所述外延SiC层之前，处理所述产品晶片背对着所述支撑衬底的表面，以去除由WEDM过程引起的表面损坏。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之前，在所述基底SiC晶片的第一主表面上形成外延SiC层，

其中利用所述支撑衬底支撑所述基底SiC晶片包括：将所述支撑衬底附接到所述外延SiC层背对着所述基底SiC晶片的表面，使得所述外延SiC层插入在所述支撑衬底与所述基底SiC晶片之间，

其中在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之后，所述产品晶片包括所述外延SiC层的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之后，处理通过所述WEDM过程切割的外延SiC层的表面，以去除由所述WEDM过程引起的表面损坏。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之前，在所述外延SiC层中形成一个或多个掺杂区域。

7.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之前，将附加的支撑衬底附接到所述基底SiC晶片背对着所述外延SiC层的表面，使得具有所述外延SiC层的基底SiC晶片插入在所述支撑衬底与所述附加的支撑衬底之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述WEDM过程将从所述基底SiC晶片分离的产品晶片切割成小于100 μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述WEDM过程将从所述基底SiC晶片分离的产品晶片切割成小于20 μm的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离之后，利用相同或不同的支撑衬底来重复支撑所述基底SiC晶片；以及

在重复支撑所述基底SiC晶片之后，作为新的WEDM过程的部分，使用相同或不同的引线切穿所述基底SiC晶片，以将新的产品晶片从所述基底SiC晶片分离，所述新的产品晶片当从所述基底SiC晶片被切割时，被附接到所述支撑衬底。