[发明专利]锑化物超晶格雪崩光电二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，包括：

P型衬底(10)；

P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)，设置于所述P型衬底(10)上；

P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)，设置于所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)上；

P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)上；

N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)上；

第一电极(60)，设置于所述P型衬底(10)上；以及

第二电极(70)，设置于所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)上。

2.根据权利要求1所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)的材料为掺Zn或Be的InAs/GaSb超晶格。

3.根据权利要求1所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)和所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)的材料为掺Zn或Be的InAsP/InAsSb超晶格。

4.根据权利要求1所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)的材料为掺Si的InAsP/InAsSb超晶格。

5.根据权利要求1至4任一项所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)和所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)的有效带宽大于所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)的有效带宽；所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)、所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)和所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)的导带平齐。

6.一种锑化物超晶格雪崩光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供P型衬底(10)；

在P型衬底(10)上依序生长形成P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)、P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)、P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)以及N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)；

在所述P型衬底(10)上制作第一电极(60)；以及

在所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)上制作第二电极(70)。

7.根据权利要求6所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管的制备方法，其特征在于，在所述P型衬底(10)上制作第一电极(60)的具体方法包括：

对所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)、所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)、所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)和所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)的局部材料进行刻蚀，暴露出P型衬底(10)，形成探测器台面；

在所述P型衬底(10)的暴露区域制作形成第一电极(60)。

8.根据权利要求6所述的锑化物超晶格雪崩光电二极管的制备方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积工艺依序在所述P型衬底(10)上生长形成所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)、所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)、所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)和所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)。