[发明专利]基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列方法有效

专利信息
申请号: 201910368012.2 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN110042391B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 雷敏洋;周鲁豪;苗丽坤;周思宇;雷勇 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C14/18;C23C14/24;C25D3/12;C25D5/18;C25D11/04
代理公司: 合肥维可专利代理事务所(普通合伙) 34135 代理人: 陈淮民
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 阳极 氧化铝 模板 钒酸铋 纳米 颗粒 包裹 阵列 方法
【权利要求书】:

1.基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列制备方法,其特征在于,包括下列步骤:

(1)铝片预处理:将铝片裁剪成大小相等的圆,再进行清洗并进行电化学抛光;

(2)纳米压印:用带有图案的复形镍膜在预处理后的铝片上进行压印;

(3)阳极氧化:采用电解池,通过施加电压在铝表面进行缓慢氧化形成氧化铝;

(4)热蒸发镀金层:用物理气相沉积的方法在真空镀膜机中将AAO模板孔道内及表面热蒸发镀上一定厚度金层;

(5)电化学沉积Ni基底:使用电化学工作站中的两电极系统在镀有Au层的AAO模板那面脉冲电沉积一定厚度的镍膜;

(6)镍纳米阵列基底膜制备:将覆盖在孔道上的Ni阵列基底膜从AAO模板上剥离,得到高度有序的镍纳米阵列基底膜;

(7)BiVO4-Ni纳米阵列制备:利用连续离子层吸附反应(SILAR)制备方法,在Ni纳米阵列基底膜上沉积一定圈数、均匀的BiVO4纳米颗粒薄膜;

(8)退火结晶:将上一步制备好的BiVO4-Ni纳米阵列放入马弗炉中空气退火。

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