[发明专利]基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列方法有效
申请号: | 201910368012.2 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110042391B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 雷敏洋;周鲁豪;苗丽坤;周思宇;雷勇 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C14/18;C23C14/24;C25D3/12;C25D5/18;C25D11/04 |
代理公司: | 合肥维可专利代理事务所(普通合伙) 34135 | 代理人: | 陈淮民 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 阳极 氧化铝 模板 钒酸铋 纳米 颗粒 包裹 阵列 方法 | ||
1.基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列制备方法,其特征在于,包括下列步骤:
(1)铝片预处理:将铝片裁剪成大小相等的圆,再进行清洗并进行电化学抛光;
(2)纳米压印:用带有图案的复形镍膜在预处理后的铝片上进行压印;
(3)阳极氧化:采用电解池,通过施加电压在铝表面进行缓慢氧化形成氧化铝;
(4)热蒸发镀金层:用物理气相沉积的方法在真空镀膜机中将AAO模板孔道内及表面热蒸发镀上一定厚度金层;
(5)电化学沉积Ni基底:使用电化学工作站中的两电极系统在镀有Au层的AAO模板那面脉冲电沉积一定厚度的镍膜;
(6)镍纳米阵列基底膜制备:将覆盖在孔道上的Ni阵列基底膜从AAO模板上剥离,得到高度有序的镍纳米阵列基底膜;
(7)BiVO4-Ni纳米阵列制备:利用连续离子层吸附反应(SILAR)制备方法,在Ni纳米阵列基底膜上沉积一定圈数、均匀的BiVO4纳米颗粒薄膜;
(8)退火结晶:将上一步制备好的BiVO4-Ni纳米阵列放入马弗炉中空气退火。
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