[发明专利]背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头在审
申请号: | 201910368284.2 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110112158A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 林峰;叶果 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/04;A61B1/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式图像传感器 芯片 探测头 内窥镜 光源模块 像素 成像 透光孔 制作 衬底 堆叠设置 面积增大 芯片堆叠 器件层 垂直 贯穿 | ||
1.一种背照式图像传感器芯片,其包括衬底和位于所述衬底上的器件层,其特征在于,所述背照式图像传感器芯片上设置有透光孔,所述透光孔贯穿所述衬底和位于所述衬底上的器件层。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器芯片,其特征在于,所述背照式图像传感器芯片包括像素区和环绕所述像素区的逻辑区,所述透光孔位于所述逻辑区或/和像素区。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片,其特征在于,位于所述逻辑区的透光孔平行于所述衬底的截面形状为矩形,位于所述像素区的透光孔平行于所述衬底的截面形状为十字型、交叉型、米字型、田字型、井字型、及矩形中的任意一种或两种以上的组合。
4.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片,其特征在于,所述像素区包括若干单位像素和位于相邻所述单位像素之间的P型隔离区,所述透光孔位于所述P型隔离区,位于所述P型隔离区的透光孔平行于所述像素区的截面形状为矩形或梯形。
5.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片,其特征在于,所述像素区包括若干像素单元和位于相邻所述像素单元之间的浅沟道隔离区,所述透光孔位于所述浅沟道隔离区,位于所述浅沟道隔离区的透光孔平行于所述像素区的截面形状为矩形或梯形。
6.如权利要求1-5任一项所述的背照式图像传感器芯片,其特征在于,所述透光孔中填充有高透光性材料。
7.一种内窥镜探测头,其特征在于,包括:
权利要求1-6中任一项所述背照式图像传感器芯片,以及
与所述背照式图像传感器芯片堆叠设置的光源模块;
其中,所述光源模块设置于远离所述背照式图像传感器芯片的像素的一侧。
8.一种背照式图像传感器芯片的制作方法,其特征在于,包括:
提供权利要求1-6任一项所述背照式图像传感器芯片;
在所述背照式图像传感器芯片上形成透光孔。
9.如权利要求8所述的背照式图像传感器芯片的制作方法,其特征在于,在所述透光孔中填充高透光性材料,包括:
在所述背照式图像传感器芯片的一侧上形成第一子透光孔,所述第一子透光孔贯穿部分厚度的所述背照式图像传感器芯片;
在所述第一子透光孔中填充高透光性材料;
在所述背照式图像传感器芯片的另一侧上形成第二子透光孔,所述第二子透光孔与所述第一子透光孔在垂直于所述背照式图像传感器芯片的方向对准且连通,所述第二子透光孔暴露出所述高透光性材料,所述第一子透光孔和所述第二子透光孔构成所述透光孔;
在所述第二子透光孔中填充所述高透光性材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技(上海)有限公司,未经豪威科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910368284.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种图像传感器
- 下一篇:图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的