[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、面板、装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区；

位于所述有源层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括主体部、第一子部和第二子部，所述主体部位于所述中间区上，所述第一子部位于所述源极区上，所述第二子部位于所述漏极区上；

位于所述主体部上的栅极；

覆盖所述栅极、所述第一子部、所述第二子部以及所述衬底基板的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接；

所述第一子部和所述第二子部与所述主体部的交界位置处存在斜坡；

所述第一子部和所述第二子部的厚度为所述主体部的厚度的15％～70％；

所述第一子部和所述第二子部的厚度取值范围均为50nm～300nm；

形成栅极绝缘层的方法包括：

在所述有源层上形成原始栅极绝缘层，所述原始栅极绝缘层包括甲子栅极绝缘层、乙子栅极绝缘层和丙子栅极绝缘层，所述甲子栅极绝缘层位于所述中间区上，所述乙子栅极绝缘层位于所述源极区上，所述丙子栅极绝缘层位于所述漏极区上；

在所述甲子栅极绝缘层上形成栅极；

以所述栅极为掩膜介质，采用干法刻蚀工艺减薄所述乙子栅极绝缘层和所述丙子栅极绝缘层，以获得栅极绝缘层；

采用PECVD工艺在所述第一子部、所述第二子部、所述栅极和所述衬底基板上形成所述第一绝缘层，同时以所述栅极为掩膜介质，并以所述第一子部和所述第二子部为保护介质，利用PECVD工艺中前驱气体分解出的氢离子对所述有源层进行高导处理。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化钽或氧化锆。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述源极、漏极以及所述第一绝缘层上的第二绝缘层。

4.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求4所述的显示基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区；

在所述有源层上形成原始栅极绝缘层，所述原始栅极绝缘层包括甲子栅极绝缘层、乙子栅极绝缘层和丙子栅极绝缘层，所述甲子栅极绝缘层位于所述中间区上，所述乙子栅极绝缘层位于所述源极区上，所述丙子栅极绝缘层位于所述漏极区上；

在所述甲子栅极绝缘层上形成栅极；

以所述栅极为掩膜介质，采用干法刻蚀工艺减薄所述乙子栅极绝缘层和所述丙子栅极绝缘层，以获得栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括主体部、第一子部和第二子部，所述主体部位于所述中间区上，所述第一子部位于所述源极区上，所述第二子部位于所述漏极区上；

采用PECVD工艺在所述第一子部、所述第二子部、所述栅极和所述衬底基板上形成第一绝缘层，同时以所述栅极为掩膜介质，并以所述第一子部和所述第二子部为保护介质，利用PECVD工艺中前驱气体分解出的氢离子对所述有源层进行高导处理；

形成与所述源极区电连接的源极和与所述漏极区电连接的漏极；

所述第一子部和所述第二子部与所述主体部的交界位置处存在斜坡；

所述第一子部和所述第二子部的厚度为所述主体部的厚度的15％～70％；

所述第一子部和所述第二子部的厚度取值范围均为50nm～300nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成与所述源极区电连接的源极和与所述漏极区电连接的漏极之后，还包括：

在所述源极、漏极以及所述第一绝缘层上形成第二绝缘层。