[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED外延结构，包括由底向上设置的衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、空穴阻挡层、有源区、电子阻档层和p型AlGaN层；所述空穴阻挡层和电子阻挡层分别包含多个线性变化铝组分的结构层和固定铝组分的结构层；

所述空穴阻挡层包含七个结构层，所述七个结构层的厚度和铝组份含量各不相同；所述空穴阻挡层自底向上的第一个结构层为铝组分线性递增的Ala1Ga1-a1N，a1由初始值y线性递增到a2；第二个结构层为固定铝组分的Ala2Ga1-a2N；第三个结构层为铝组分线性递增的Ala3Ga1-a3N，a3由初始值a2线性递增到a4；第四个结构层为固定铝组分的Ala4Ga1-a4N；第五个结构层为铝组分线性递减的Ala5Ga1-a5N，a5由初始值a4线性递减至a2；第六结构层为固定铝组分的Ala6Ga1-a6N,a6=a2；第七个结构层为铝组分线性递减的Ala7Ga1-a7N，a7由初始值a2线性递减至y；其中ya2a41。

2.根据权利要求1 所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述有源区包含交替设置的量子阱和量子垒，所述量子阱为AlxGa1-xN，量子垒为AlyGa1-yN，所述有源区的发光波长范围为280-360nm。

3.根据权利要求1 所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述空穴阻挡层的总厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1 所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层的总厚度为10-20nm。

5.根据权利要求1 所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述的电子阻挡层包含七个结构层，所述七个结构层厚度不同且铝组分的含量不同；所述电子阻挡层自底向上第一个结构层为铝组分线性递增的Alb1Ga1-b1N，b1由初始值y线性递增到b2；第二、第六个结构层为固定铝组分的Alb2Ga1-b2N；第三个结构层为铝组分线性递增的Alb3Ga1-b3N，b3由初始值b2线性递增到b4；第四个结构层为固定铝组分的Alb4Ga1-b4N；第五个结构层为铝组分线性递减的Alb5Ga1-b5N，b5由初始值b4线性递减至b2；第七个结构层为铝组分线性递减的Alb7Ga1-b7N，b7由初始值b2线性递减至y；其中yb2b41。

6.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述空穴阻挡层中自底向上第一、二、三、五、六、七个结构层的厚度为1-2nm，第四个结构层的厚度为4-8nm，所述电子阻挡层中自底向上第一、二、三、五、六、七个结构层的厚度为1-2nm，第四个结构层的厚度为4-8nm。