[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种用于在基板上形成液态膜的装置，其中，所述装置包括：

第一工艺腔室，其具有第一空间，在所述第一空间中处理第一基板；

第二工艺腔室，其具有第二空间，在所述第二空间中处理第二基板；

液体分配单元，其设置在所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中，且配置为分配处理液以分别在所述第一基板和所述第二基板上形成液态膜；

气流供应单元，其设置在所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中，且配置为分别在所述第一空间和所述第二空间中形成下向气流；和

控制器，其配置为控制所述液体分配单元和所述气流供应单元，

其中，每个所述液体分配单元包括：

预处理喷嘴，其配置为分配预处理液；和

涂覆溶液喷嘴，其配置为将涂覆溶液分配到所述第一基板和所述第二基板中相应的一个上，

其中，所述控制器控制所述液体分配单元以分配所述预处理液和随后分配所述涂覆溶液至所述第一基板和所述第二基板上，并且

其中，所述控制器根据分配的所述预处理液的量调节所述下向气流的供应状态，

其中，所述下向气流的供应速率随着分配的所述预处理液的量的增加而降低，以及随着分配的所述预处理液的量的降低而增加；

其中，分配到所述第一基板上的所述涂覆溶液和分配到所述第二基板上的所述涂覆溶液是不同类型的液体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，将第一量的所述预处理液分配到所述第一基板上，并在所述第一空间中形成具有第一速率的所述下向气流，

其中，将第二量的所述预处理液分配到所述第二基板上，并在所述第二空间中形成具有第二速率的所述下向气流，并且

其中，所述第一量大于所述第二量，且所述第一速率低于所述第二速率。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述预处理液包括溶剂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，每个所述气流供应单元包括：

气流供应管线，其连接至所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中相应的一个的顶板表面；和

风扇，其安装在所述气流供应管线中，并且

其中，所述控制器控制所述风扇的旋转速率以调节所述下向气流的供应状态。

5.一种用于在基板上形成液态膜的装置，其中，所述装置包括：

壳体；

处理容器，其位于所述壳体中，并在所述处理容器中具有处理空间；

基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承并旋转第一基板和第二基板；

气流供应单元，其安装在所述壳体中，并配置为在所述处理空间中形成下向气流；

液体分配单元，其配置为分配处理液以在支承于所述基板支承单元的所述第一基板和所述第二基板上形成液态膜；和

控制器，其配置为控制所述液体分配单元和所述气流供应单元，

其中，所述控制器控制所述液体分配单元以分配预处理液和随后分配涂覆溶液至支承于所述基板支承单元上的所述第一基板和所述第二基板上，并且

其中，所述控制器根据分配的所述预处理液的量调节所述下向气流的供应状态，

其中，所述下向气流的供应速率随着分配的所述预处理液的量的增加而降低，以及随着分配的所述预处理液的量的降低而增加；

其中，分配到所述第一基板上的所述涂覆溶液和分配到所述第二基板上的所述涂覆溶液是不同类型的液体。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，当将第一量的所述预处理液分配到所述第一基板上时，所述控制器在所述处理空间中形成具有第一速率的所述下向气流，

其中，当将第二量的所述预处理液分配到所述第二基板上时，所述控制器在所述处理空间中形成具有第二速率的所述下向气流，并且

其中，所述第一量大于所述第二量，且所述第一速率低于所述第二速率。