[发明专利]一种黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法有效
| 申请号： | 201910369442.6 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110016554B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王军;杨宝军;甘敏;方京华;张翼;张雁生;赵红波;杨聪仁;焦芬;房朝军;罗雯;黄草明;彭程;赵春晓;于世超;邬柏强;林墨;刘雅媛;王梦飞;李耀麟;张培文;谢添;李显元;刘学端;覃文庆;邱冠周 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22B3/18 | 分类号： | C22B3/18;C22B15/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410083 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 黄钾铁矾 强化 光催化 半导体 硫化 矿物 生物 浸出 方法 | ||
1.一种黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：是在光催化半导体硫化矿物生物浸出过程中添加黄钾铁矾；所述的黄钾铁矾为生物合成; 所述黄钾铁矾的生物合成方法如下：按照108-109cells/ml的接种量将嗜酸铁氧化细菌接种至250 mL含有0.08-0.32 M FeSO4·7H2O和13.33-53.30 mM K2SO4的pH 2.0-3.0水溶液中，且FeSO4·7H2O与K2SO4的摩尔比为6:1，在摇床转速为100-200 rpm，温度为20-50℃条件下进行培养，3-7天后收集黄色沉淀物，真空干燥获得黄钾铁矾。
2.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：所述的黄钾铁矾在光催化半导体硫化矿物生物浸出体系中的添加浓度为0.1-6 g/L。
3.根据权利要求2所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：所述的黄钾铁矾在光催化半导体硫化矿物生物浸出体系中的添加浓度为0.5-2 g/L。
4.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：光催化半导体硫化矿物生物浸出体系中光照强度为4000-12000 lux。
5.根据权利要求4所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：光催化半导体硫化矿物生物浸出体系中光照强度为8000-12000 lux。
6.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：光催化半导体硫化矿物生物浸出体系中添加1-5%矿浆浓度的半导体硫化矿物。
7.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，生物浸出是指利用嗜酸铁硫氧化细菌进行浸出。
8.根据权利要求7所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，生物浸出时将嗜酸铁硫氧化细菌先进行驯化。
9.根据权利要求7或8所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：按照接种量为1×107-9×107 cells/ml将嗜酸铁硫氧化细菌接入到浸出体系中。
10.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：浸出体系pH 1.5-3.0，摇床转速为100-200 rpm，温度为20-50℃。
11.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：半导体硫化矿物包括：黄铜矿、铜蓝、斑铜矿、辉铜矿、黄铁矿中的一种或多种。
12.根据权利要求1所述的黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法，其特征在于：将半导体硫化矿物破碎筛分至粒径大小在74 μm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910369442.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热压氧化浸出系统与工艺
- 下一篇：溶液中贵金属分离提纯方法
