[发明专利]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括形成于一基底的一低噪声放大电路与一逻辑电路，其中：

所述低噪声放大电路包括至少一第一晶体管，所述第一晶体管包括：

一第一井区；

一第一栅极，形成于所述第一井区上并耦接一信号输入端；以及

一第一源极区与一第一漏极区，分别形成于所述第一栅极两侧的所述第一井区中，其中所述第一源极区耦接一参考电压端，且所述第一源极区的片电阻低于所述第一漏极区的片电阻；以及

所述逻辑电路包括至少一第二晶体管，所述第二晶体管包括：

一第二井区；

一第二栅极，形成于所述第二井区上；以及

一第二源极区与一第二漏极区，分别形成于所述第二栅极两侧的所述第二井区中，其中所述第二源极区的片电阻与所述第二漏极区的片电阻相等。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第二源极区的片电阻与所述第二漏极区的片电阻等于所述第一漏极区的片电阻。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区，所述第一源极区的所述重掺杂区的掺杂浓度大于所述第一漏极区的所述重掺杂区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区，所述第一源极区的所述重掺杂区的掺杂深度大于所述第一漏极区的所述重掺杂区的掺杂深度。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区以及位在所述栅极与所述重掺杂区之间的一轻掺杂漏极区，所述第一源极区的所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度大于所述第一漏极区的所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度。

6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区的所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度与所述第一漏极区的所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度的差异在10倍以下。

7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区以及位在所述栅极与所述重掺杂区之间的一轻掺杂漏极区，所述第一源极区的所述轻掺杂漏极区的深度比所述第一漏极区的所述轻掺杂漏极区的深度深。

8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区的所述轻掺杂漏极区的所述深度与所述第一漏极区的所述轻掺杂漏极区的所述深度的差异在20％以下。

9.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区，所述第一源极区的所述重掺杂区比所述第一漏极区的所述重掺杂区接近所述第一栅极。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，还包括数个间隙壁，分别设置于所述第一栅极的两侧壁，且接近所述第一源极区的所述间隙壁的宽度比接近所述第一漏极区的所述间隙壁的宽度薄。

11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第二源极区的掺杂浓度以及所述第二漏极区的掺杂浓度均等于所述第一漏极区的掺杂浓度。

12.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一源极区与所述第一漏极区均包括一重掺杂区、位在所述栅极与所述重掺杂区之间的一轻掺杂漏极区以及环绕于所述轻掺杂漏极区周缘的一环状掺杂区，其中所述环状掺杂区与所述轻掺杂漏极区的掺杂类型不同。

13.如权利要求11所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一漏极区的所述环状掺杂区的掺杂浓度大于所述第一源极区的所述环状掺杂区的掺杂浓度。

14.如权利要求11所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一漏极区的所述环状掺杂区的深度大于所述第一源极区的所述环状掺杂区的深度。