[发明专利]一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路有效
| 申请号： | 201910370715.9 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110048675B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 肖筱;党秋实;魏海龙 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 双极型轨 轨运放 输入 偏置 电流 性能 电路 | ||
1.一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，其特征在于，包括基极与反向输入信号VINN相连的晶体管Q1和晶体管Q3、基极与正向输入信号VINP相连的晶体管Q2和晶体管Q4，以及基极与偏置电压Vbias相连的晶体管QB1和晶体管QB2；
晶体管Q3和晶体管Q4的发射极与晶体管QB1的集电极均与晶体管QB1的集电极相连；晶体管Q3和晶体管Q4的集电极与电源电压AVDD相连；晶体管QB1和晶体管QB2的发射极接地；
晶体管Q1和晶体管Q2的发射极均与晶体管QB4的集电极相连，晶体管QB2集电极与晶体管QB3的基极和集电极相连，并与晶体管QB4的基极相连；
晶体管Q1和晶体管Q2的集电极接地；
晶体管QB3的发射极连接电阻RB1的一端，晶体管QB4的发射极连接电阻RB2的一端，电阻RB1的另一端和电阻RB2的另一端共同连接于电源电压AVDD；
电阻RB1为基区电阻，电阻RB2为多晶硅电阻。
2.根据权利要求1所述的提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，其特征在于，晶体管Q1的集电极通过电阻R1接地，晶体管Q2的集电极通过电阻R2接地。
3.根据权利要求1所述的提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，其特征在于，晶体管Q3的集电极通过电阻R3与电源电压AVDD相连，晶体管Q4的集电极通过电阻R4与电源电压AVDD相连。
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