[发明专利]一种基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置

权利要求书

1.一种基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，其包括依次排列的4个真空腔室：第一真空腔室、第二真空腔室、第三真空腔室和第四真空腔室，第一真空腔室用于将镀膜元件加热到镀膜温度，并进行热平衡或将镀膜元件从镀膜温度降温到室温；第二真空腔室采用离子束溅射镀膜方式对镀膜元件表面镀制第一膜层，第三真空腔室采用电子束蒸镀方式对镀膜元件表面镀制第二膜层，第四真空腔室用于对膜层进行缺陷检测与平坦化处理；4个真空腔室间，依次通过第一真空管道、第二真空管道和第三真空管道连通，各真空管道用于将相邻两真空腔室进行隔离；各真空管道中分别设置有元件抓取转移机械手，各元件抓取转移机械手工作以将镀膜元件在相邻两真空腔室间进行传递。

2.如权利要求1所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，所述第三真空腔室采用电子束蒸镀方式对镀膜元件表面镀制第二膜层具体为：第三真空腔室采用离子束辅助电子束蒸镀方式在镀膜元件表面镀制第二膜层。

3.如权利要求1所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，所述第一膜层所用材料为低折射率材料，所述第二膜层所用材料为高折射率材料。

4.如权利要求1-3之一所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，所述第一真空腔室包括一真空室A，该真空室A连接有机械泵A，以在机械泵A工作时获得真空室A前级真空环境；所述真空室A还连接有若干冷泵A，以在若干所述冷泵A工作时获得真空室A高真空环境；所述真空室A内腔中设置有若干热辐射加热器A，以对真空室A内腔进行加热；真空室A内腔顶部设置有一公转工件盘A，该公转工件盘A在真空室A内呈中心对称分布，所述公转工件盘A通过一轴承A连接到真空室A外的驱动器A以进行可控公转；所述公转工件盘A上设置有定位机构A，该定位机构A用于安装工装盘A，工装盘A安装于定位机构A上时，工装盘A与公转工件盘A的中轴成中心对称；工装盘A用于放置镀膜元件。

5.如权利要求1-3之一所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，所述第二真空腔室包括真空室B，该真空室B连接有机械泵B，以在机械泵B工作时获得真空室B前级真空环境；所述真空室B还连接有若干冷泵B，以在若干所述冷泵B工作时获得真空室B高真空环境；所述真空室B内腔中设置有若干热辐射加热器B，以对真空室B内腔进行加热；真空室B内腔顶部设置有一公转工件盘B，该公转工件盘B在真空室B内呈中心对称分布，所述公转工件盘B通过一轴承B连接到真空室B外的驱动器B以进行可控公转；所述公转工件盘B上设置有定位机构B，该定位机构B用于安装工装盘B，工装盘B安装于定位机构B上时，工装盘B与公转工件盘B的中轴相对偏心；工装盘B用于放置镀膜元件；真空室B内腔设置有辅助离子源、溅射RF离子源、靶材，所述辅助离子源正对镀膜元件设置，用于向镀膜元件表面发射第一离子束，所述溅射RF离子源所发射的离子束轰击所述靶材所形成的溅射粒子束沉积到镀膜元件表面。

6.如权利要求1-3之一所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，所述第三真空腔室包括真空室C，该真空室C连接有机械泵C，以在机械泵C工作时获得真空室C前级真空环境；所述真空室C还连接有若干冷泵C，以在若干所述冷泵C工作时获得真空室C高真空环境；所述真空室C内腔中设置有若干热辐射加热器C，以对真空室C内腔进行加热；真空室C内腔顶部设置有一公转工件盘C，该公转工件盘C在真空室C内呈中心对称分布，所述公转工件盘C通过一轴承C连接到真空室C外的驱动器C以进行可控公转；所述公转工件盘C上设置有定位机构C，该定位机构C用于安装工装盘C，工装盘C安装于定位机构C上时，工装盘C与公转工件盘C的中轴成相对偏心；工装盘C用于放置镀膜元件；真空室C内腔中，正对镀膜元件设置有一RF辅助离子源，在所述RF辅助离子源两侧，分别设置有一e型电子枪；两e型电子枪分别向镀膜元件表面蒸镀膜层材料，所述RF辅助离子源用于向镀膜元件表面发射第二离子束。

7.如权利要求6所述的基于多粒子沉积的低缺陷多腔体镀膜装置，其特征在于，两个所述e型电子枪为镀膜元件表明所蒸镀的膜层材料的折射率不同。