[发明专利]膜形成装置及膜形成方法有效
申请号: | 201910371007.7 | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN111349912B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 岩永刚 | 申请(专利权)人: | 富士胶片商业创新有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 装置 方法 | ||
一种膜形成装置及膜形成方法,具备:反应容器,在内部配置有膜形成对象部件,且用于利用供给至内部的成膜性气体的激励分解而将以成膜性气体中所包含的元素为构成要素的膜堆积于膜形成对象部件上,具有:能够激励分解成膜性气体的反应活性区域和作为与反应活性区域连续的区域的反应惰性区域;成膜性气体供给装置,向反应惰性区域供给成膜性气体;激励装置,对成膜性气体进行激励分解;保持装置,具有:保持部件,保持膜形成对象部件;及驱动部,在反应惰性区域与反应活性区域之间驱动保持部件;及排气部件,设置于反应容器内,排出反应容器内的气体,且排出已通过由保持部件保持的状态的膜形成对象部件的内部及侧面的至少一方的反应容器内的气体。
技术领域
本发明涉及一种膜形成装置及膜形成方法。
背景技术
以往已知有利用供给至内部的成膜性气体的激励分解而将以成膜性气体中所包含的元素为构成要素的膜堆积于膜形成对象部件上的膜形成装置及膜形成方法。
作为其例示,例如有等离子体CVD(Plasma-enhanced Chemical VaporDeposition(等离子体增强化学气相沉积))。在等离子体CVD中,利用低温等离子体进行成膜性气体的激励/分解,因此能够在低温下生成无机膜。由此,即使膜形成对象部件并非为如树脂部件那样能够承受300度那样的高温的部件,也能够形成无机膜。
例如,专利文献1中公开有“一种薄膜形成装置及薄膜形成方法,所述薄膜形成装置利用供给至反应容器内的原料气体的激励分解而将以该原料气体中所包含的元素为构成要素的膜堆积于薄膜形成对象部件上,所述薄膜形成装置具备:激励单元,对所述原料气体进行激励分解;原料气体供给单元,向利用所述反应器内的所述激励单元能够激励分解所述原料气体的反应活性区域以外的反应惰性区域供给所述原料气体,且朝向所述反应活性区域以外的方向供给所述原料气体;及驱动单元,使所述薄膜形成对象部件在所述反应惰性区域与所述反应活性区域之间反复移动,所述反应活性区域与所述反应惰性区域为连续的区域,所述反应容器包含遮蔽所述反应活性区域与所述反应惰性区域的边界的至少一部分的遮蔽部件而构成,由所述原料气体供给单元供给的原料气体经由所述反应惰性区域供给至所述反应活性区域。”。
并且,专利文献2中公开有“一种覆膜形成装置及覆膜形成方法,所述覆膜形成装置的特征在于,具备:真空腔室,设置有复杂立体形状基材;复数个成膜性气体供给喷嘴,配置于该腔室内,用于从复数个方向向所述基材的周围供给成膜性气体;复数个排气口,与所述复数个喷嘴对置并在所述腔室壁部开孔;使成膜性气体从所述喷嘴的供给和从与正在供给成膜性气体中的喷嘴对置的所述排气口的排气联动的单元;及在所述腔室内产生等离子体的单元。”。
专利文献1:日本专利5055845号说明书
专利文献2:日本专利2761431号说明书
在现有的膜形成装置中,排出反应容器内的气体的排气管的排气口设置于反应容器的外墙。
因此,在能够与反应活性区域侧对置的膜形成对象部件的表面会形成接近均匀的膜,但成膜性气体难以到达膜形成对象部件的内部(例如,多孔体的细孔的墙面、筒状部件的内周面、具有贯穿孔的部件的贯穿孔的墙面等)及侧面(与能够与反应活性区域侧对置的膜形成对象部件的表面交叉的面)或即使到达,相同的气体也会滞留,因此不会形成膜或难以形成接近均匀的膜。
发明内容
因此,本发明的课题在于提供一种膜形成装置,该膜形成装置与排出反应容器内的气体的排气管的排气口设置于反应容器的外墙的膜形成装置相比,在膜形成对象部件的内部及侧面的至少一方均可以实现接近均匀的膜的形成。
上述课题通过以下手段得到解决。即,
<1>一种膜形成装置,其具备:
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