[发明专利]一种在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法和应用

权利要求书

1.一种在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)泡沫镍(NF)预处理

依次采用稀盐酸、丙酮、超纯水和乙醇将裁剪好的泡沫镍片进行超声清洗，真空干燥后备用；

(2)泡沫镍上NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列的合成

按配比将六水合氯化镍(NiCl₂·6H₂O)、氯化锌(ZnCl₂)、二水合氯化铜(CuCl₂·2H₂O)和尿素依次加入到超纯水中搅拌均匀，继续添加氧化石墨烯(GO)后进行超声分散形成均匀混合反应液，然后将所述反应液转移至反应釜中，将步骤(1)预处理好的泡沫镍片浸入到反应液中，密封反应釜，再将反应釜的反应温度升温到100～150℃恒温反应10～15h，反应结束后，冷却至室温，将产物用超纯水和乙醇交替洗涤多次后真空干燥，获得所述的NiZnCuLDH/rGO纳米片阵列；所述六水合氯化镍、氯化锌、二水合氯化铜与尿素的摩尔比为1：1：1：4；所述六水合氯化镍与氧化石墨烯的用量比为1mmol：25mg；

(3)泡沫镍上N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列的合成

将步骤(2)制得的NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列置于陶瓷坩埚中，再将坩埚放入管式炉中，在氨气氛围下，将管式炉的温度从室温升至300～400℃并恒温煅烧1～3h，最后自然冷却至室温，得到所述的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料。

2.根据权利要求1所述的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述六水合氯化镍与超纯水的用量比为1mmol：10mL。

3.根据权利要求1所述的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述反应釜的反应温度为120℃，反应时间为12h。

4.根据权利要求1所述的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)所煅烧温度为350℃，煅烧时间为2h。

5.根据权利要求1所述的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的管式炉的升温速度为1～5℃/min。

6.权利要求1～5任一项所述在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法制备得到的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料。

7.权利要求1～5任一项所述方法制得的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料作为双功能电催化剂在电解尿素、氨以及肼的阴极析氢中的应用。

8.权利要求1～5任一项所述方法制得的在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料在电解尿素、氨以及肼的阳极尿素氧化、氨氧化以及肼氧化中的应用。