[发明专利]一种基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器在审
| 申请号： | 201910372263.8 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110186960A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张覃轶;孟鑫 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高选择性 气体传感器 氢气传感器 氢气 改性 二甲基二乙氧基硅烷 致密 表面二氧化硅 化学气相沉积 大分子气体 表面沉积 二氧化锡 氢气检测 灵敏度 乙醇 丙酮 硅源 响应 | ||
1.一种基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器，其特征在于：它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层而得到。
2.根据权利要求1所述的高选择性氢气传感器，其特征在于：化学气相沉积温度为500℃-600℃，沉积时间为2-10h。
3.根据权利要求1所述的高选择性氢气传感器，其特征在于：化学气相沉积温度优选为550-600℃，沉积时间为4-8h。
4.权利要求1所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤如下：
提供SnO2气体传感器；
提供硅源物质二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)，控制CVD条件，利用CVD法在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层。
5.根据权利要求4所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)称量适量的市售二氧化锡粉末，和印油快速用力研磨，将印油与粉末研磨均匀，使其充分混合；
2)将步骤1)所得的浆料利用丝网印刷法印制于空白气体传感器基片上；
3)置于干燥箱中，干燥使印油挥发；
4)将步骤3)所得气体传感器移至马弗炉中，600℃烧结2小时，得到空白的SnO2气体传感器。
6.根据权利要求5所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤3)的干燥温度为60℃，干燥1小时。
7.根据权利要求5所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤4)中先升温为200℃，恒温10min，然后升温为400℃，恒温10min，最后将马弗炉温度设置为600℃，恒温2h。
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