[发明专利]半导体设备的操作方法

说明书

本揭露是关于一种半导体设备的操作方法，其包括产生目标材料微滴；激发目标材料微滴以产生用于曝露晶圆的辐射；在激发目标材料微滴之后通过捕获器接收目标材料微滴，其中捕获器具有前段、后段及后段处的排出口；加热捕获器的后段使得后段中的目标材料微滴处于液相中；及保持捕获器的前段的温度低于捕获器的后段的温度。

技术领域

本揭露是有关一种半导体设备的操作方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了飞速的发展。IC材料及IC设计的技术进步已产生了数代IC，其中各代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(亦即单位晶片面积的互连元件的数目)已大体增加，而几何大小(亦即可使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此缩小大小的过程通常因增加生产效率且降低相关成本而提供益处。此缩小大小亦增加了IC处理及IC制造的复杂性。举例而言，已发展了更高解析度的微影术制程。一种微影技术是超紫外线微影术(EUVL)。

发明内容

根据一些实施例，半导体设备的操作方法包括产生目标材料微滴；激发目标材料微滴以产生用于曝露晶圆的辐射；在激发目标材料微滴之后通过捕获器接收目标材料微滴，其中捕获器具有前段、后段及后段处的排出口；加热捕获器的后段使得后段中的目标材料微滴处于液相中；及保持捕获器的前段的温度低于捕获器的后段的温度。

附图说明

当与附图一起阅读时自以下【实施方式】最好地理解本揭示案的态样。应注意根据工业中的标准实务，不按比例绘制各种特征。事实上，为论述的清晰性可任意地增加或减小各特征的尺寸。

图1为根据本揭示案的一些实施例的超紫外线(EUV)微影术系统的示意图；

图2为图1的半导体设备的侧视图；

图3为根据本揭示案的一些实施例的半导体设备的操作方法的流程图；

图4为图2的微滴捕获器及加热器的俯视图；

图5为当接收目标材料微滴时图4沿线5-5所得的微滴捕获器及加热器的横截面图；

图6为当接收目标材料微滴时根据本揭示案的一些实施例的微滴捕获器及两个加热器的横截面图；

图7为根据本揭示案的一些实施例的半导体设备的操作方法的流程图；

图8为当接收目标材料微滴时根据本揭示案的一些实施例的微滴捕获器、加热器及冷却系统的横截面图。

具体实施方式

以下揭示案提供用于实施所提供的标的的不同特征的许多不同的实施例或实例。下文描述部件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，此等特定实例仅为实例且不意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征形成于第二特征上方或形成于第二特征上可包括其中第一特征及第二特征直接接触而形成的实施例，且亦可包括其中额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复元件数字及/或字母。此重复是为简单性及清晰性的目的且本身不规定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

另外，本文中为便于描述可使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似用语的空间上相对的术语以描述如图形中所图示的一元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。空间上相对的术语意欲涵盖除图形中所描绘的定向之外使用中或操作中的元件的不同定向。设备可按另一方向经定向(经转动90度或处于其他定向)且可因此同样地解释本文中所使用的空间上相对的描述符。

本揭示案中所描述的进阶微影术制程、方法及材料可用于许多应用中，包括鳍式场效电晶体(FinFET)。举例而言，鳍片可经图案化以在特征之间产生相对密集的间距，此很适合以上的揭示案。另外，可根据以上揭示案处理用于形成FinFET的鳍片的间隔件。