[发明专利]一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构在审
| 申请号： | 201910374176.6 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110143565A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 周斌;张嵘;邢博文;魏琦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微结构 封装应力 上极板 下极板 基底层 隔离 基底 热膨胀系数 封装管壳 膨胀系数 结构层 热应力 走线层 键合 刻蚀 锚点 失配 粘接 封装 加工 保证 生产 | ||
1.一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构，包括上极板和下极板；
由下至上，所述MEMS器件包括基底层、走线层和结构层；
所述上极板采用与所述基底层相同的材料制成；
所述下极板采用与封装所述MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的材料制成；
所述上极板与所述下极板通过锚点柱相连接。
2.根据权利要求1所述的封装应力隔离微结构，其特征在于：所述锚点柱采用与所述上极板相同的材料制成；
所述锚点柱与所述上极板一体成型。
3.根据权利要求2所述的封装应力隔离微结构，其特征在于：采用刻蚀的方式形成所述锚点柱。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装应力隔离微结构，其特征在于：所述锚点柱采用键合方式与所述下极板连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的封装应力隔离微结构，其特征在于：所述锚点柱位于所述上极板的中心位置。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的封装应力隔离微结构，其特征在于：所述锚点柱的高度为20～50μm；
所述锚点柱的面积小于所述封装应力隔离微结构的面积的1/10。
7.权利要求1-6中任一项所述封装应力隔离微结构的制造方法，包括如下步骤：
(1)采用与所述MEMS器件的所述基底层的材料相同的圆片Ⅰ，在所述圆片Ⅰ上加工形成所述锚点柱；
(2)采用与封装所述MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的圆片Ⅱ，将所述圆片Ⅱ与所述锚点柱相连接；然后进行切割即形成若干所述封装应力隔离微结构。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：步骤(1)中，采用刻蚀的方式在所述圆片Ⅰ上形成所述锚点柱。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于：步骤(2)中，采用键合方式连接所述圆片Ⅱ与所述锚点柱。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述键合方式为下述1)或2)：
1)当所述圆片Ⅰ的材质为硅时，所述圆片Ⅱ的材料为玻璃时，采用阳极键合方式；
2)当所述圆片Ⅰ和所述圆片Ⅱ的材质均为硅时，采用硅硅键合方式。
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