[发明专利]布线结构、电子装置和其制造方法

说明书

一种布线结构，包含绝缘层和导电结构。所述绝缘层具有上表面和与所述上表面相对的下表面，且界定贯穿所述绝缘层的开口。所述导电结构位于所述绝缘层的所述开口中，并包含第一屏障层和润湿层。所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上，且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔。所述润湿层位于所述第一屏障层上。所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述穿孔和所述绝缘层的所述下表面暴露以形成球垫。

技术领域

本发明涉及布线结构(wiring structure)、电子装置和制造方法，且涉及使润湿层(wetting layer)的一部分从屏障层(barrier layer)暴露以形成球垫(ball pad)的布线结构、包含所述布线结构的电子装置，以及用于制造所述电子装置的方法。

背景技术

在射频(radio frequency,RF)裸片的封装中，重布层(redistribution layer,RDL)结构可用以与RF裸片耦合。归因于阻抗匹配(impedance matching)问题，此类重布层结构通常设计为具有五个钝化层和五个金属层(five passivation layers and fivemetal layers,5P5M)的结构。一个钝化层和一个金属层(1P1M)的结构的制造过程通常耗时约10天，因此5P5M结构的制造过程通常需要约60天的总制造时间。因此，制造成本较高。此外，此类5P5M结构的厚度较大，容易导致翘曲和/或脱层问题。

发明内容

在一些实施例中，一种布线结构包含绝缘层(insulating layer)和导电结构(conductive structure)。所述绝缘层具有上表面和与所述上表面相对的下表面，且界定贯穿所述绝缘层的开口。所述导电结构位于所述绝缘层的所述开口中，并包含第一屏障层和润湿层。所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上，且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔。所述润湿层位于所述第一屏障层上。所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述和所述绝缘层的所述下表面暴露以形成球垫。

在一些实施例中，一种电子装置包含第一绝缘层、下部导电结构和至少一个电连接元件(electrical connecting element)。所述第一绝缘层具有上表面和与所述上表面相对的下表面，且界定贯穿所述第一绝缘层的第一开口。所述下部导电结构包含位于所述第一绝缘层的所述第一开口中的下部电路结构。所述下部电路结构包含多个金属层。所述下部电路结构包含接合区(bonding region)和延伸区(extending region)。所述接合区的金属层的层数不同于所述延伸区的金属层的层数。所述电连接元件附接到所述下部导电结构的所述接合区。

在一些实施例中，一种用于制造电子装置的方法包含：形成第一开口贯穿第一绝缘层；形成下部晶种层在所述第一开口中和所述绝缘层上；依序形成第一屏障层、润湿层和第二屏障层在所述晶种层上，以形成下部电路结构；蚀刻所述第一屏障层的一部分以暴露所述润湿层的一部分；和将至少一个电连接元件附接到所述润湿层的所述暴露部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本公开的一些实施例的电子装置的实例的截面图。

图2说明图1中示出的区域“A”的放大视图。

图3说明根据本公开的一些实施例的电子装置的实例的截面图。

图4说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。

图5说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。

图6说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。