[发明专利]透明导电膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910374442.5 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN111326290B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 李锡宰;闵禹植;吴澯权 申请(专利权)人: 海安科技株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 朱健
地址: 韩国京畿道水原市长*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 透明 导电 制造 方法
【说明书】:

本发明涉及一种透明导电膜的制造方法,包括:在基板上形成光刻胶层的步骤;去除上述光刻胶层的一部分,以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤;在一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤;对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤;去除形成于上述光刻胶上的种子层的步骤;实施无电镀,以在形成于上述一部分露出至外部的基板上的种子层上形成第一镀膜的步骤;及去除上述光刻胶层的步骤。

技术领域

本发明涉及透明导电膜的制造方法。根据本发明实施例的制造方法制得的透明导电膜能够广泛用于触摸板、电磁波屏蔽膜、太阳能电池及门窗等领域。另外,上述透明导电膜可生产具有大面积的产品,具有高透射性及应答速度。

背景技术

透明导电膜是指透射光线的同时具有导电性的膜。近来随着智能手机等电子设备的发展应用于各种领域。上述透明导电膜可根据上部的接触检测到电性(电阻等)的变化,因此,可用作触摸板、传感器等,而且可适用于利用该技术的显示器。另外,可适用于需要光线透射的太阳能电池及门窗,而近来其用途扩展至用于切断电磁波的电磁波屏蔽膜。

在上述透明导电膜领域中,作为主要材料广为使用铟锡氧化物(ITO,Indium TinOxide),但ITO因面电阻高而难以实现细致的检测,难以期待高的应答速度。

先行技术文献

专利文献】

(专利文献1)韩国专利公开公报第10-2013-0102998号

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种能够制造宽的面积的透明导电膜的方法。另外,提供一种在具有高的透射度的同时,具有高的应答速度的透明导电膜。

课题解决方案

本发明实施例的一种透明导电膜的制造方法,包括:在基板上形成光刻胶层的步骤;去除上述光刻胶层的一部分,以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤;在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤;对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤;实施无电镀,以在形成于上述一部分露出至外部的基板上的种子层上形成第一镀膜的步骤;及去除上述光刻胶层的步骤。

本发明实施例的另一种透明导电膜的制造方法,包括:在基板上形成光刻胶层的步骤;去除上述光刻胶层的一部分,以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤;在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤;对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤;在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤;实施无电镀,以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤;及去除上述光刻胶层的步骤。

本发明实施例的又一种透明导电膜的制造方法,包括:在基板上形成光刻胶层的步骤;去除上述光刻胶层的一部分,以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤;在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤;对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤;去除上述光刻胶层的步骤;及实施无电镀,以在上述种子层上形成第一镀膜的步骤。

本发明实施例的再一种透明导电膜的制造方法,包括:在基板上形成光刻胶层的步骤;去除上述光刻胶层的一部分,以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤;在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤;对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤;在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤;去除上述光刻胶层的步骤;及实施无电镀,以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤。

发明效果

本发明实施例的透明导电膜的制造方法,能够提供一种能够制造宽的面积的透明导电膜的方法。另外,可以提供一种在具有高的透射度的同时,具有高的应答速度的透明导电膜。

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