[发明专利]一种用于调查晶圆背面异常的定位方法有效
申请号: | 201910374869.5 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110190007B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 潘志宣 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 调查 背面 异常 定位 方法 | ||
1.一种用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供光源、透镜、定位图案以及晶圆的背面待测图像;
步骤二、将所述透镜置于所述光源和所述定位图案之间;将所述晶圆的背面待测图像置于所述定位图案的远离所述透镜的透光一侧;所述光源、透镜、定位图案以及所述晶圆的背面待测图像的中心位于一条直线上;
步骤三、调整所述透镜与所述光源的距离,使得所述定位图案的投影边缘与所述晶圆的背面待测图像边缘对准;所述定位图案中的槽口标记与晶圆背面待测图像槽口标记重合,使图像清晰;
步骤四、记录所述晶圆背面待测图像中的晶圆异常点所在定位图案中的位置。
2.根据权利要求1所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述光源使用白光源,所述光源采用充电方式。
3.根据权利要求1所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述透镜为凸透镜或透镜组合。
4.根据权利要求1所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述定位图案为多个同心圆,并且沿最外圆形的半径分为多个扇形区域。
5.根据权利要求4所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述同心圆的个数为10个,相邻圆之间的距离间隔为1cm;该定位图案沿最外圆形的半径,在360度范围内平均分为多个扇形区域。
6.根据权利要求5所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述定位图案中,沿最外圆形的半径在360度范围内平均分为12个扇形区域。
7.根据权利要求6所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:所述同心圆中由里向外的第五个圆形和第十个圆形,其线型相比其他圆形的线型加粗一倍,其他圆形的线型相同。
8.根据权利要求7所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:对所述定位图案的同心圆进行编号,由中心向外依次编号为1-10。
9.根据权利要求8所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:对所述定位图案中的12个扇形区域依次编号为1-12。
10.根据权利要求9所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:对所述定位图案中的12个扇形区域顺时针依次编号为1-12,每个编号标记在最外圆形划分为扇形的对应半径边缘。
11.根据权利要求10所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:步骤三中还包括调整所述定位图案,使所述定位图案中编号标记6对应半径边缘的投影槽口标记与所述晶圆背面待测图像的槽口重合。
12.根据权利要求1或11所述的用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于:步骤四中记录所述晶圆背面待测图像中的晶圆异常点所在定位图案中的位置的方法包括:用拍照的形式或用记录纸笔记记录。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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