[发明专利]碳化硅半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其具有：

栅极结构（150），所述栅极结构（150）从第一表面（101）出发延伸到SiC半导体本体（100）中；

在所述SiC半导体本体（100）中的体区（120），所述体区（120）至少与所述栅极结构（150）的第一侧壁（151）邻接；

导电类型为所述体区（120）的导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区（161，162），其中所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区（161，162）为所述体区（120）至少两倍高地掺杂；以及

二极管区（140），所述二极管区（140）在所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区（161，162）之间与负载电极（310）形成肖特基接触（SC）。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述二极管区（140）与所述第一屏蔽区（161）和与所述第二屏蔽区（162）分别形成pn结（pn0）。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述第一屏蔽区和/或所述第二屏蔽区（161，162）的下边沿距所述第一表面（101）的间距（v3）大于所述栅极结构（150）的竖直伸展（v1）。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，进一步具有：

在所述第一表面（101）与所述体区（120）之间的源极区（110），其中所述源极区（110）至少与所述栅极结构（150）的所述第一侧壁（151）邻接。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一屏蔽区（161）在同所述二极管区（140）对置的侧上与所述体区（120）邻接，并且所述第二屏蔽区（162）与其他体区（120）邻接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区（161，162）分别在同所述二极管区（140）对置的侧上与各一个接触结构（316）邻接，其中所述接触结构（316）从所述第一表面（101）出发延伸到所述SiC半导体本体（100）中。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一屏蔽区（161）与所述栅极结构（150）的第二侧壁（152）邻接，并且所述第二屏蔽区（162）与其他体区（120）邻接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

在所述第一屏蔽区（161）中，掺杂材料浓度具有局部最大值，其中所述局部最大值在所述栅极结构（150）与所述SiC半导体本体（100）的同所述第一表面（101）对置的第二表面（102）之间。

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其中，

所述第一侧壁（151）平行于第一主晶格平面走向，和/或相对所述SiC半导体本体（100）中的所述第一主晶格平面倾斜最高2°。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体器件，其具有多个栅极结构（150），其中所述SiC半导体本体（100）具有：

在两个相邻的栅极结构（150）之间的第一台面（181），其中所述第一台面（181）没有二极管区（140），以及

在两个相邻的栅极结构（150）之间的第二台面（182），其中在所述第二台面（182）中构造二极管区（140），所述第一屏蔽区（161）与所述二极管区（140）邻接，并且所述第二屏蔽区（162）与所述二极管区（140）邻接和与体区（120）邻接。