[发明专利]一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法及其系统

说明书

本发明涉及一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法及其系统；其中，重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法，包括以下步骤：S1，根据命令分配“控制节点”；S2，以“子页”大小对写数据流进行切割；S3，进行数据流重排；S4，将数据流与控制节点绑定，并提交至FTL。本发明通过将写入的数据信息以页为单位进行切割，结合FTL地址池分配地址的策略，以提高读拼接率为准则重新排列写入数据流，使得读取的时候有更高的读拼接率，从而提高SSD的读性能，能够更好地满足需求。

技术领域

本发明涉及SSD读拼接率技术领域，更具体地说是指一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法及其系统。

背景技术

SSD的存储介质为Nand Flash，主流颗粒将拥有页寄存器的单位定义为Plane，并且支持多个plane同时读写(Multi-plane)；由于ONFI协议对Multi-plane所操作的地址有严格的要求，如果主机读取的数据不能使用Multi-plane操作，读取的性能必然不高，如果有种方式能够让读取数据尽可能多地满足Multi-plane操作，会有效提升SSD的读性能；目前主流SSD固件的写操作会顺序提交数据流给FTL算法模块，FTL模块从地址池中分配地址并与数据绑定交给NFC模块，但是，这样的顺序写入并不能使读拼接率达到最优；因此，无法满足需求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法及其系统。

为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：

一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的方法，包括以下步骤：

S1，根据命令分配“控制节点”；

S2，以“子页”大小对写数据流进行切割；

S3，进行数据流重排；

S4，将数据流与控制节点绑定，并提交至FTL。

其进一步技术方案为：所述S1中，DPM模块根据写命令分配“控制节点”。

其进一步技术方案为：所述S3中，根据地址池分配策略重新排列数据流。

其进一步技术方案为：所述S3中，还包括：将数据流按照“子页”的大小进行切割编号，标记为Data_x，从0开始遍历所有Bank，记为i,然后在相同的i下遍历所有的“子页”，TLC的NAND为0-2，记作j，并提交Data_x。

其进一步技术方案为：所述Data_x中的x为索引编号，且x＝i+j*(Bank总数)。

其进一步技术方案为：所述S4中，将重排后的数据流与“控制节点”绑定，提交至FTL模块。

一种重排写入数据流提升SSD读拼接率的系统，包括：分配单元，切割单元，重排单元，及绑定提交单元；

所述分配单元，用于根据命令分配“控制节点”；

所述切割单元，用于以“子页”大小对写数据流进行切割；

所述重排单元，用于进行数据流重排；

所述绑定提交单元，用于将数据流与控制节点绑定，并提交至FTL。

其进一步技术方案为：所述分配单元中，DPM模块根据写命令分配“控制节点”。

其进一步技术方案为：所述重排单元中，根据地址池分配策略重新排列数据流，将数据流按照“子页”的大小进行切割编号，标记为Data_x，从0开始遍历所有Bank，记为i,然后在相同的i下遍历所有的“子页”，TLC的NAND为0-2，记作j，并提交Data_x；所述Data_x中的x为索引编号，且x＝i+j*(Bank总数)。