[发明专利]一种具有较高工作频率的MRAM

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，所述磁性随机存取存储器基于2T1MTJ单元结构，在其基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线；

所述磁性随机存取存储器的实现方式为：将位线通用类型的磁性随机存取存储器的源线(SL)设计为写位线(WBL)，而将位线通用类型的磁性随机存取存储器的位线设计为读位线(RBL)，另外每个子阵列具有子多路复用器以分离包括一个晶体管的RBL，写位线(WBL)在每个子阵列中共用，并且写驱动器与体系结构中的列译码器连接在一起；

所述磁性随机存取存储器具有高速电流传送器；感应使能信号上升时电流传送器开始提供V_C用来选择RBL，在RBL电压达到V_C之前，反向放大电压V_B迅速上升并使I_S增加，同时使晶体管M2开启，进而从电流传送器的输出节点向RBL提供升压电流(I_BST)。

2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，所述磁性随机存取存储器包括至少两个局部电流接收器(LCS)以规则的间隔并联到每个WBL以平衡电流。

3.根据权利要求1-2任一所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，所述磁性随机存取存储器的半轴旋转架构(HPS)中每个单元包含两条写位线，分别为第一写位线和第二写位线，而偶数行单元中的第一写位线与相邻奇数行单元中的第二写位线连接，偶数行单元中的第二写位线与相邻奇数行单元中的第一写位线连接。

4.根据权利要求3所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，当所述磁性随机存取存储器处于读模式时，若访问偶数行某一单元，则奇数行参考单元被选取；若访问奇数行某一单元，则偶数行参考单元被选取。

5.根据权利要求4所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，当所述磁性随机存取存储器处于写模式时，若访问偶数行某一单元，则写驱动程序通过输入数据向所选的WBLi和/WBLi提供互补电压；若访问奇数行某一单元，则互补电压被转移到/WBLi和WBLi+1。

6.根据权利要求5所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，当外部CPU需要对磁性随机存取存储器进行多个数据访问时，所述磁性随机存取存储器通过将数据由串行输入/输出改为并行输入/输出有效地提高对MRAM的访问速度。

7.一种具有权利要求1、2、4、5、6任一所述的磁性随机存取存储器的计算机。