[发明专利]一种磁共振成像的自适应方法、装置和磁共振成像系统

权利要求书

1.一种磁共振成像的自适应方法，其特征在于，应用于频率选择性激励成像或频率选择性组织抑制成像，包括：

加载预先设置的预校准序列；

获得感兴趣区的被成像组织对应的第一次共振中心频率；将所述第一次共振中心频率作为磁共振成像系统的共振中心频率；

对所述感兴趣区对应的磁场进行匀场；所述对所述感兴趣区对应的磁场进行匀场，具体包括：每个梯度轴方向采集两个梯度回波，所述两个梯度回波对应不同的回波时间；根据所述两个梯度回波获得对应梯度轴方向的磁场非均匀补偿系数；所述每个梯度轴方向具有对应的梯度线圈；利用所述磁场非均匀补偿系数对对应的梯度轴方向的梯度线圈进行电流补偿；

获得所述感兴趣区的被成像组织对应的第二次共振中心频率；将所述第二次共振中心频率作为所述磁共振成像系统的共振中心频率；采集所述感兴趣区的被成像组织包含的共振质子的谱峰信息；根据所述谱峰信息获得需要激励质子与基准质子之间的偏移参数；所述共振质子包括所述需要激励质子与所述基准质子；

利用所述偏移参数设置正式扫描时所述需要激励质子对应的频率选择性激励脉冲的参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述谱峰信息获得需要激励质子与基准质子之间的偏移参数，具体包括：

根据所述谱峰信息获得所述需要激励质子的共振核的半高宽；

根据所述谱峰信息获得所述需要激励质子的共振峰和所述基准质子的共振峰之间的峰峰距离；

所述偏移参数包括所述半高宽和所述峰峰距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用所述偏移参数设置正式扫描时所述需要激励质子对应的频率选择性激励脉冲的参数之后，还包括：判断所述频率选择性激励脉冲的参数是否超过预设参数范围，如果超过，则选择所述预设参数范围与所述频率选择性激励脉冲的参数接近的边界值作为最终的频率选择性激励脉冲的参数。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述需要激励质子包括以下任意一种：

水质子、脂肪质子和硅胶质子；

所述基准质子为水质子。

5.一种磁共振成像的自适应装置，其特征在于，应用于频率选择性激励成像或频率选择性组织抑制成像，包括：

序列加载模块，用于加载预先设置的预校准序列；

第一次更新模块，用于获得感兴趣区的被成像组织对应的第一次共振中心频率；将所述第一次共振中心频率作为磁共振成像系统的共振中心频率；

匀场模块，用于对所述感兴趣区对应的磁场进行匀场；

第二次更新模块，用于获得所述感兴趣区的被成像组织对应的第二次共振中心频率；将所述第二次共振中心频率作为所述磁共振成像系统的共振中心频率；

偏移获取模块，用于采集所述感兴趣区的被成像组织包含的共振质子的谱峰信息；根据所述谱峰信息获得需要激励质子与基准质子之间的偏移参数；所述共振质子包括需要激励质子与基准质子；

参数设置模块，用于利用所述偏移参数设置正式扫描时所述需要激励质子对应的频率选择性激励脉冲的参数；

所述匀场模块包括：回波采集子模块，用于每个梯度轴方向采集两个梯度回波，所述两个梯度回波对应不同的回波时间；补偿系统获得子模块，用于根据所述两个梯度回波获得对应梯度轴方向的磁场非均匀补偿系数；所述每个梯度轴方向具有对应的梯度线圈；补偿模块，用于利用所述磁场非均匀补偿系数对对应的梯度轴方向的梯度线圈进行电流补偿。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述偏移获取模块包括：

半高宽获得子模块，用于根据所述谱峰信息获得所述需要激励质子的共振核的半高宽；

峰峰距离获得子模块，用于根据所述谱峰信息获得所述需要激励质子的共振峰和所述基准质子的共振峰之间的峰峰距离；所述偏移参数包括所述半高宽和所述峰峰距离。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：判断模块；

所述判断模块，用于判断所述频率选择性激励脉冲的参数是否超过预设参数范围，如果超过，则选择所述预设参数范围与所述频率选择性激励脉冲的参数接近的边界值作为最终的频率选择性激励脉冲的参数。

8.一种磁共振成像系统，其特征在于，包括：扫描设备和计算机；所述计算机用于在所述扫描设备预扫描时执行权利要求1-4任一项所述的方法；

所述计算机还用于在所述扫描设备正式扫描时根据所述频率选择性激励脉冲的参数生成所述频率选择性激励脉冲，进行频率选择性激励成像或频率选择性组织抑制成像。