[发明专利]一种内置式金属箔局放传感器的定参方法

权利要求书

1.一种内置式金属箔局放传感器的定参方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：搭建定参平台，具体包括s11与s12；

s11：选用长度为1.5m--2m的电缆样本，然后将电缆样本的一端与高频电流互感器电连接，高频电流互感器与示波器的C2接口相连接；电缆样本的另一端分别与局放校验脉冲发生器以及示波器的C3接口相连接；示波器的C1接口与内置式金属箔局放检测装置的接口相连接；

s12：示波器以100MS/s的采样率采集原始数据，采样时间长度设置为20ms，即50Hz工频周期；示波器C1通道接收金属箔电极耦合到的信号，C2通道接收高频电流互感器感应到的信号，C3接收局放校验脉冲发生器的校验信号；

S2：进行关键参数确定试验，具体包括s21至s27：

s21:将金属箔电极参数先固定为：边长1.5cm，厚度0.2mm，形状方形；

s22:将该电极置于电缆样品的半导电层上，存储单片电极时C1、C2和C3通道的数据，之后轴向两电极边缘间距从1cm开始，每做一次实验增加1cm，直到10cm位置，并存储C1、C2和C3通道的数据；

s23：将该电极置于电缆样品的半导电层上，存储单片电极时C1、C2和C3通道的数据，之后径向两电极边缘间距从1cm开始，每做一次实验增加1cm，直到10cm位置，并存储C1、C2和C3通道的数据；

s24：将该电极置于电缆样品的绝缘层上，存储单片电极时C1、C2和C3通道的数据，之后轴向两电极边缘间距从1cm开始，每做一次实验增加1cm，直到10cm位置，并存储C1、C2和C3通道的数据；

s25：将该电极置于电缆样品的绝缘层上，存储单片电极时C1、C2和C3通道的数据，之后径向两电极边缘间距从1cm开始，每做一次实验增加1cm，直到10cm位置，并存储C1、C2和C3通道的数据；

s26：更改金属箔电极边长参数，金属箔电极边长依次设为2.5cm、3cm、5cm、8cm和10cm，重复执行关键参数确定步骤s22至s25；

s27：分析在轴向、径向布置、在半导电层、绝缘层安装下的不同边长参数的金属箔电极信号随电极边缘间距变化特征，以此确定最佳电极数、最佳边长、最佳布置方向、最佳安装位置等关键参数。

2.根据权利要求1所述的一种内置式金属箔局放传感器的定参方法，其特征在于，还包括步骤S3，所述步骤S3主要包括步骤s31至s33：

s31：考虑传感器电极形状等其他参数对电极感应信号强弱的影响，补充实验以前面根据关键参数确定实验中确定的最佳电极数、最佳边长、最佳布置方向、最佳安装位置等关键参数为预设参数，分别制作与该电极面积和金属厚度均相等的圆形、“十”字形和“王”字形三种不同形状的金属箔电极，进行对照试验；

s32：分析不同形状的金属箔电极信号变化特征，此轮实验可确定最佳形状参数；

s33：增加电极厚度、电极材料的参数进行补充实验。

3.根据权利要求2所述的一种内置式金属箔局放传感器的定参方法，其特征在于，在所述步骤s32中，不同形状的金属箔包括方形金属箔、圆形金属箔、十字形金属箔、王字形金属箔。