[发明专利]一种Ge掺Bi2Te3热电薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201910377764.5 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110055494A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 龙剑平;姚富友;刘春海;陈青松;赵莎;程妍;唐柳群;何国良 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 曹少华 |
| 地址： | 610059 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅玻璃 热电薄膜 在线加热 去应力 放入 溅射 制备 薄膜 磁控溅射技术 舱室 磁控溅射 真空保温 真空条件 含量比 基片台 烘干 丙酮 超声 基板 清洗 | ||
1.一种Ge掺Bi2Te3热电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将硅玻璃基片进行清洗，在丙酮中进行超声，10-15min，然后将玻璃基片放入无水乙醇中进行再次超声，10-20min，将玻璃基片进行干燥；
步骤2，硅玻璃基片放入舱室进行烘干，同时进行抽真空，将舱室多余水分抽出，待达到所需要的真空度后开始磁控溅射基片台升温，将磁控溅射基片台温度预先升温到50℃，保温10分钟，待温度稳定后继续升温，反复升温到200℃后保温10分钟；
步骤3，将硅玻璃基片放入磁控溅射基片台，进行预溅射，预溅射时间为5-10min，充分将硅玻璃基片的表面进行清洗，去除表面附着物，便于Be2Ti3薄膜的沉积；
步骤4，二次溅射，采用在线加热，真空保温去应力，溅射靶材与硅玻璃基片表面之间的距离为5cm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3中磁控溅射基片台的功率为40w，气压为0.4pa，采用直流电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤4中二次溅射中磁控溅射基片台转速为25r·min，功率为40w，气压为0.4pa，采用射频电源。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：采用的靶材为纯度99.99％Be2Ti3合金靶材。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：采用的靶材规格为50.8*4mm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：Be2Ti3薄膜的平均厚度为2.4μm。
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