[发明专利]单元电压累积放电

说明书

本申请案涉及单元电压累积放电。描述用于单元电压累积放电的方法、系统及装置。铁电存储器单元的存储体的一或多个区段可与一或多个存取线耦合。通过激活一或多个开关组件，可隔离存储器单元的一或多个区段(可包含存储器阵列及/或驱动器)。当经隔离时，可跨越与所述区段相关联的存取线施加电压以激活每一存储器单元的存取装置。通过激活相应存储器单元的开关组件，可使所述存储器单元的电容器放电，且然后可将所述隔离区段与所述多个存取线耦合。

交叉参考

本专利申请案主张2018年5月9日提交的标题为“单元电压累积放电(CellVoltage Accumulation Discharge)”的美国专利申请案第15/975,624号的优先权，所述专利申请案转让给本发明的受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及单元电压累积放电。

背景技术

以下通常涉及操作存储器阵列，且更具体地单元电压累积放电。

存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置具有两种状态，通常用逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器(例如，FeRAM)也可维持其所存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可能随时间丢失其存储状态，除非其被外部电源周期性地刷新。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但由于使用铁电电容器作为存储装置，因此可能具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进的性能。

通常，除其它度量外，改进存储器装置通常还可包含增加存储器单元密度、增加读/写速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本。存储器架构或操作的改进可针对与使铁电存储器单元放电相关联的功率功率消耗相关的问题。

发明内容

本发明描述一种方法。所述方法可包含通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关组件来将含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离，所述多个第一存取线与所述含多个区段的存储体的所述第一铁电存储器单元区段及所述第二铁电存储器单元区段耦合。所述方法可进一步包含通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段的每一铁电存储器单元的存取装置。

本发明描述另一方法。所述方法可包含确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目，且至少部分地基于确定存取操作的所述数目将所述存储体的所述第一铁电存储器单元子集与第二铁电存储器单元子集隔离。所述方法可进一步包含至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。

本发明描述一种设备。所述设备可包含铁电存储器单元的存储体，所述存储体包括多个区段，每一区段与多个第一存取线中的至少一者耦合；及多个第一开关组件，每一第一开关组件与和所述复数个第一存取线耦合的多个存取线驱动器中的一者耦合，所述多个第一开关组件经配置以隔离所述多个区段的子集。所述设备可进一步包含电压源，所述电压源与多个区段耦合且经配置以在所述多个区段的所述子集被隔离时激活所述多个区段的所述子集的至少一个铁电存储器单元的存取装置。