[发明专利]铁电存储器极板功率减小

说明书

本发明涉及铁电存储器极板功率减小。描述用于铁电存储器极板功率减小的方法、系统和装置。板线可与电压源、电容器和一组铁电存储器单元的一或多个区段耦合。在写入操作期间，所述电容器可放电到所述板线上，且所得电压可在写入一或多个存储器单元之前通过电压源调整(例如，增加)。在写回操作期间，与一或多个存储器单元相关联的电容器可放电到所述板线上并存储在所述电容器处。电荷可在所述写回期间重新施加到所述板线并通过所述电压源调整(例如，增加)。

相关申请的交叉引用

本专利申请主张El-Mansouri等人在2018年5月9日提交的名称为“铁电存储器极板功率减小(Ferroelectric Memory Plate Power Reduction)”的第15/975,628号美国专利申请的优先权，所述申请让渡给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及铁电存储器极板功率减小。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列，且更具体来说涉及铁电存储器极板功率减小。

存储器装置在各种电子装置中广泛地用于存储信息，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。例如，二进制装置具有两个状态，通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可以存储超过两个状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测在存储器装置中存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器可将它们存储的逻辑状态保存很长一段时间，即使在不存在外部电源的情况下也如此。例如DRAM的易失性存储器装置可随着时间推移而丢失它们存储的状态，除非它们通过外部电源定期更新。FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但是可因为将铁电电容器用作存储装置而具有非易失性性质。因此，相比于其它非易失性和易失性存储器装置，FeRAM装置可具有改进的性能。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减小功率消耗或减小制造成本，以及其它度量。存储器架构或操作的改进可针对与和铁电存储器阵列的存取操作相关联的功率消耗相关的问题。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含：铁电存储器单元，其与板线耦合；第一电容器，其通过所述板线和第一切换组件而与所述铁电存储器单元耦合，所述第一电容器经配置以在第一切换组件启动时通过板线向铁电存储器单元施加第一电压；以及电压源，其通过第二切换组件而与板线耦合。电压源可经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。

描述一种方法。所述方法可包含：从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器充电，所述电容器与第一电压源耦合；至少部分地基于从铁电存储器单元对电容器充电，通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压；以及至少部分地基于施加第一电压，通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。

描述另一方法。所述方法可包含：使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线；至少部分地基于铁电存储器单元的第一子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷；以及至少部分地基于接收第一电荷，向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。