[发明专利]一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法有效
| 申请号： | 201910379352.5 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110129671B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 程朝阳;刘静;付兵;宋新莉;贾涓;卢海龙;余春雷 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/06;C22C38/04;C21D8/12 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含铈高 强度 取向 硅钢 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含铈高强度无取向硅钢薄带的制备方法，其特征在于所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分是：Si为3.0～3.5wt％，Al为0.5～1.0wt％，Mn为0.1～1.0wt％，Ce为0.01～0.03wt％，其余为Fe和不可避免的杂质；
所述含铈高强度无取向硅钢薄带的制备方法是：按所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分进行冶炼，在1400～1550℃条件下浇铸成板坯，将所述板坯在1200～1300℃条件下热轧至厚度为0.8～1.5mm的热轧板；再将所述热轧板在室温条件下冷轧至0.1～0.3mm，即得含铈无取向硅钢薄带；然后将所述含铈无取向硅钢薄带进行再结晶退火，即得含铈高强度无取向硅钢薄带；
所述再结晶退火是在800～1000℃条件下保温1～3h，再随炉冷却至室温。
2.一种含铈高强度无取向硅钢薄带，其特征在于所述含铈高强度无取向硅钢薄带是根据权利要求1所述的含铈高强度无取向硅钢薄带的制备方法所制备的含铈高强度无取向硅钢薄带。
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