[发明专利]像素电路有效
申请号: | 201910380336.8 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN110070825B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 林志隆;曾金贤;赖柏成;林祐陞;郑贸薰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 | ||
本发明公开了一种像素电路,包含发光元件、第一驱动晶体管、第二驱动晶体管及第一补偿电容。第一驱动晶体管的第一端用以接收电源信号,第一驱动晶体管的第二端电性连接至发光元件。第二驱动晶体管的第一端用以接收电源信号,第二驱动晶体管的控制端电性连接至发光元件。第一补偿电容分别电性连接于第一驱动晶体管的控制端与第二驱动晶体管的第二端。
技术领域
本发明内容关于一种像素电路,特别是一种可补偿驱动晶体管的临界电压变异的像素电路。
背景技术
低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature poly-silicon thin-filmtransistor)具有高载子迁移率与尺寸小的特点,适合应用于高解析度、窄边框以及低耗电的显示面板。目前业界广泛使用准分子激光退火(excimer laser annealing)技术来形成低温多晶硅薄膜晶体管的多晶硅薄膜。然而,由于准分子激光每一发的扫描功率并不稳定,不同区域的多晶硅薄膜会具有晶粒尺寸与数量的差异。因此,于显示面板的不同区域中,低温多晶硅薄膜晶体管的特性便会不同。例如,不同区域的低温多晶硅薄膜晶体管会有着不同的临界电压(threshold voltage)。
目前业界广泛使用像素内补偿的技术方案,以克服上述临界电压变异的问题。然而,具有像素内补偿功能的像素电路具有复杂的电路结构,使得相关的显示面板的开口率低下。
发明内容
本发明内容的一态样为一种像素电路,包含发光元件、第一驱动晶体管、第二驱动晶体管及第一补偿电容。第一驱动晶体管具有第一端、第二端与控制端。第一驱动晶体管该第一端用以接收电源信号,第一驱动晶体管的第二端电性连接至发光元件。第二驱动晶体管具有第一端、第二端与控制端。第二驱动晶体管的第一端用以接收电源信号,第二驱动晶体管的控制端电性连接至发光元件。第一补偿电容分别电性连接于第一驱动晶体管的控制端与第二驱动晶体管的第二端之间。
本发明内容的另一态样为一种像素电路,包含发光元件、第一驱动晶体管、第二驱动晶体管及第一补偿电容。第一驱动晶体管具有第一端、第二端与控制端。第一驱动晶体管的第二端电性连接至发光元件。第二驱动晶体管具有第一端、第二端与控制端。第二驱动晶体管的控制端电性连接至发光元件。第一补偿电容分别电性连接于第一驱动晶体管的控制端与第二驱动晶体管的第二端之间,且第一补偿电容及第二驱动晶体管之间为补偿节点。其中,于数据写入阶段中,第一驱动晶体管的控制端用以接收数据信号;于补偿阶段中,补偿节点的电压实质上为两倍的第二驱动晶体管的控制端的电压。
本发明内容利用相互匹配的第一驱动晶体管及第二驱动晶体管,检测临界电压值的变异,据此,将能精简像素电路的电路架构,使其可通过单一条信号线,控制像素电路进行补偿。
附图说明
图1为根据本发明内容的部分实施例所绘示的像素电路的示意图。
图2为根据本发明内容的部分实施例所绘示的像素电路的运作时序图。
图3A~3D为本发明内容的部分实施例中,像素电路于不同运作时序中的示意图。
其中,附图标记:
100 像素电路
110 发光二极管
T1 第一驱动晶体管
T2 第二驱动晶体管
T3 晶体管开关
C1 第一补偿电容
C2 第二补偿电容
A 第一节点
B 第二节点
C 补偿节点
Vdd 电源信号
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