[发明专利]一种键合设备、键合波的检测方法及系统有效
申请号: | 201910380534.4 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN110289222B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽;王宝筠 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 设备 键合波 检测 方法 系统 | ||
1.一种键合设备,其特征在于,包括:
上卡盘和顶针,所述顶针沿其轴向穿过所述上卡盘,所述上卡盘具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有多个第一吸附区,所述多个第一吸附区以所述顶针为中心向四周沿径向依次分布;所述多个第一吸附区通过第一闭环挡板分隔第一腔体得到;
下卡盘,所述下卡盘具有多个第二吸附区,所述第二吸附区与所述第一吸附区相对设置;所述上卡盘和所述下卡盘上分别吸附第一晶圆和第二晶圆,通过对相应区域的第一吸附区和第二吸附区进行相同的解吸附操作,使得所述第一晶圆和所述第二晶圆对应的区域的解吸附之后结合在一起;
位于所述第二表面上的多个光感装置,所述光感装置沿所述上卡盘的径向依次分布,每个光感装置包括光发射单元和光接收单元;
位于所述光感装置下且贯通所述上卡盘的光通路;所述光通路设置在所述多个第一吸附区内;每个所述第一吸附区具有至少一个光感装置;
其中,各所述光感装置的光发射单元用于沿相应的光通路发射垂直于所述第一表面的光线、光接收单元用于接收沿所述相应的光通路返回的反射光,各光感装置获得的反射光的光强度变化状态用于键合波的检测,所述光强度变化状态为光强度变小。
2.根据权利要求1所述的键合设备,其特征在于,所述光发射单元和光接收单元分别为红外发射器和红外感应器。
3.根据权利要求1所述的键合设备,其特征在于,多个所述光感装置沿所述上卡盘的多条径向依次分布。
4.根据权利要求3所述的键合设备,其特征在于,以所述顶针所在区域为中心点,多个所述光感装置呈均匀分布。
5.根据权利要求1所述的键合设备,其特征在于,所述第一吸附区为两个。
6.根据权利要求1所述的键合设备,其特征在于,所述顶针为活塞。
7.一种键合波的检测方法,其特征在于,利用如权利要求1-6中任一项所述的键合设备进行检测,在上卡盘和下卡盘上分别吸附第一晶圆和第二晶圆,且顶针向第一晶圆施加键合压力之后,进行键合波的检测,所述检测的方法包括:
持续获得各光感装置的光强度;
根据光强度变小的变化状态,判断键合波的到达时间。
8.根据权利要求7所述的检测方法,其特征在于,所述根据光强度变小的变化状态,判断键合波的到达时间,包括:
将与前一时刻反射光的强度基本相同的时刻点以第一状态信号表征,将比前一时刻反射光的强度更小的时刻点以第二状态信号表征,由所述第一状态信号转变为第二状态信号的时刻点即为键合波到达的时间。
9.一种键合波的检测系统,其特征在于,包括:
如权利要求1-6中任一项所述的键合设备;以及,
检测单元,用于持续获得各光感装置的光强度;根据光强度变小的变化状态,判断键合波的到达时间。
10.根据权利要求9所述的检测系统,其特征在于,所述检测单元中,所述根据光强度变小的变化状态,判断键合波的到达时间,包括:
将与前一时刻反射光的强度基本相同的时刻点以第一状态信号表征,将比前一时刻反射光的强度更小的时刻点以第二状态信号表征,由所述第一状态信号转变为第二状态信号的时刻点即为键合波到达的时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造